[发明专利]用于提高对非易失性存储器中的缺陷的抗干扰性的方法和装置

权利要求书

1.一种用于提高对非易失性存储器中的缺陷的抗干扰性的装置，所述装置包括：

非易失性存储器，其用于将用户数据存储在跨多个管芯的多个平面的第一集合中以及将对应于所述用户数据的奇偶数据存储在多个平面的第二集合中；以及

逻辑单元，其用于旋转在跨所述多个管芯的所述多个平面的第一集合中以及在所述多个平面的第二集合中的所述用户数据以匹配所述奇偶数据的映射，其中，所述用户数据和所述奇偶数据两者均被以四平面页的粒度分派，其中，所述四平面页针对可变扇区大小(VSS)实现或非VSS实现与平坦间接单元对齐。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述逻辑单元是通过使得所述用户数据的多个页和所述奇偶数据的页存储在所述多个平面的第二集合的第一平面中来旋转所述用户数据以匹配所述奇偶数据的映射的。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述奇偶数据的页是对应于与所述用户数据的多个页相比所述用户数据的不同的页的。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个平面的第一集合和所述多个平面的第二集合是至少部分地在所述多个管芯中的一个管芯中重叠的。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个平面的第二集合是在所述多个管芯中的一个管芯中的。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述逻辑单元用于旋转所述用户数据以匹配所述奇偶数据的映射以支持平坦间接系统中的可变扇区大小(VSS)实现或非VSS实现。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述非易失性存储器、所述逻辑单元以及固态驱动(SSD)是在相同的集成电路设备上的。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述非易失性存储器包括以下中的一个：纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、闪速存储器、自旋矩传输随机存取存储器(STTRAM)、电阻式随机存取存储器、相变存储器(PCM)以及字节可寻址三维交叉点存储器。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，SSD包括所述非易失性存储器和所述逻辑单元。

10.一种用于提高对非易失性存储器中的缺陷的抗干扰性的方法，所述方法包括：

在非易失性存储器中，将用户数据存储在跨多个管芯的多个平面的第一集合中以及将对应于所述用户数据的奇偶数据存储在多个平面的第二集合中；以及

旋转在跨所述多个管芯的所述多个平面的第一集合中以及在所述多个平面的第二集合中的所述用户数据以匹配所述奇偶数据的映射，其中，所述用户数据和所述奇偶数据两者均被以四平面页的粒度分派，其中，所述四平面页针对可变扇区大小(VSS)实现或非VSS实现与平坦间接单元对齐。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括，通过使得所述用户数据的多个页和所述奇偶数据的页存储在所述多个平面的第二集合的第一平面中来旋转所述用户数据以匹配所述奇偶数据的映射。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述奇偶数据的页是对应于与所述用户数据的多个页相比所述用户数据的不同的页的。

13.根据权利要求10所述的方法，进一步包括，所述多个平面的第一集合和所述多个平面的第二集合至少部分地在所述多个管芯中的一个管芯中重叠。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述多个平面的第二集合是在所述多个管芯中的一个管芯中的。

15.根据权利要求10所述的方法，进一步包括，旋转所述用户数据以匹配所述奇偶数据的映射以支持平坦间接系统中的可变扇区大小(VSS)实现或非VSS实现。