[发明专利]用于低频PLL的低功率及可集成式芯片上架构

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

相位检测器；

第一电荷泵及第二电荷泵，其耦合到所述相位检测器，且经配置以从所述相位检测器接收输入，所述第一电荷泵输出低电流且所述第二电荷泵输出高电流；及

双重输入回路滤波器，其耦合到所述第一电荷泵及所述第二电荷泵。

2.根据权利要求1所述的集成电路，所述双重输入回路滤波器包含在节点处与串联耦合的第二电容及电阻器并联耦合的第一电容，在所述节点处提供所述第一电荷泵的所述低电流输出且在所述第二电容与所述电阻器之间提供所述第二电荷泵的所述高电流输出。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路，其进一步包括用于给所述高电流电荷泵及所述低电流电荷泵充电的共同偏置电路。

4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的集成电路，其进一步包括用于给所述第一电荷泵及第二电荷泵充电的共同偏置电路。

5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的集成电路，其中所述第一电荷泵是可使用低电流实施的电流引导放大器电荷泵。

6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的集成电路，其中所述电荷泵具有同步输出。

7.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述第一电容大约为稳定负反馈回路的实际所要电容的十分之一。

8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的集成电路，其进一步包含耦合到所述双重输入回路滤波器的电压控制振荡器VCO。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述VOC包含能够产生以nA为单位的电流的偏置块。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述偏置块实施源极退化以进行电压到电流变换。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中用于所述源极退化的电阻器值按二分之一因子按比例降低。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其中使用共模电压技术来使所述电阻器的所述值按比例降低。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其进一步包括电流源分支，所述电流源分支是现有偏置电路的复制品。

14.一种锁相回路电路，其包括：

相位检测器；

第一电荷泵及第二电荷泵，其耦合到所述相位检测器，且经配置以从所述相位检测器接收输入，所述第一电荷泵输出低电流且所述第二电荷泵输出高电流；

双重输入回路滤波器，其耦合到所述第一电荷泵及所述第二电荷泵；及

锁定检测器，其经配置以连续监测所述锁相回路电路的输出。

15.根据权利要求14所述的锁相回路电路，所述锁定检测器经配置以根据参考时钟与反馈时钟信号之间的相位误差产生锁定信号。

16.根据权利要求15所述的锁相回路电路，所述锁定检测器具有延迟单元以针对所述锁定信号预定义锁定/解锁窗。

17.根据权利要求16所述的锁相回路电路，其中所述延迟单元包含相关联VCO的偏置电路及延迟单元复制品，使得VCO频率的改变将在所述锁定检测器电路的所述延迟单元中被复制。