[发明专利]一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法有效

专利信息
申请号: 201611243269.8 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106676299B 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 曹国鑫;付宝全;王玮东;杜刚;齐锐;孙剑;刘向宏;张平祥;冯勇 申请(专利权)人: 西部超导材料科技股份有限公司
主分类号: C22C1/03 分类号: C22C1/03;C22C19/05
代理公司: 西安弘理专利事务所61214 代理人: 胡燕恒
地址: 710018 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 gh4720li 合金 元素 成分 均匀 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于高温合金冶炼技术领域,具体涉及一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法。

背景技术

GH4720Li是一种镍基时效强化型高温合金,主要用于制造使用温度为650-750℃的高性能压气机和涡轮盘以及在短时间内900℃使用的涡轮盘。GH4720Li的合金化程度非常高,同时也带来了高温合金铸锭中的合金元素偏析。经过熔炼的铸锭在凝固过程中由于偏析作用易形成低熔点γ+γ'共晶、η相和Ni5Zr等低熔点组织,这对后续的均匀化处理和锻造制造了困难,同时也对GH720Li的变形提出了严峻的考验。

该合金中合金元素的含量较高达到40%以上,Al、Ti元素大大增加了主要沉淀强化相γ'相的含量,大量的Co、Mo等固溶强化元素以及起晶间强化的Zr、B等元素,使该高温合金具有优良的高温性能,其中W元素既能起到固溶强化的作用,也可以进入γ'相中,增加γ'与基体间的错配度;同时W元素也能够明显降低基体的层错能,有效改善高温合金的蠕变性能。因此提高W元素在铸锭中的均匀性,对于提高铸锭均匀性,改善锻造性能,具有重要作用。

发明内容

本发明的目的是提供一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法,解决了现有Φ440-560mm规格GH4720Li铸锭中存在的W元素分布不均匀的问题。

本发明所采用的技术方案是:一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法,具体包括以下步骤:

步骤1,按照GH4720Li合金配比,确定原料电解镍、纯铬、电钴、镍钨合金、镍钼合金、纯钛、纯铝、镍硼合金、纯锆、碳的用量;

步骤2,真空感应熔炼:

将步骤1所述原料分别加入真空感应炉中进行真空感应熔炼为铸锭;

步骤3,真空自耗熔炼:

对步骤3得到的铸锭进行两次真空自耗熔炼,第二次真空自耗熔炼采用低熔速控制熔炼。

本发明的特点还在于,

步骤1中镍钨合金为NiW45中间合金。

步骤1中电解镍、电钴进行表面处理,处理完成后表面应洁净且呈现金属亮色,然后与镍钨合金、镍钼合金、纯钛、纯铝、纯铬在100℃下进行10h的干燥。

步骤2具体为:首先加入电解镍、纯铬、电钴、镍钨合金、镍钼合金和碳熔化,熔化速度小于1/4最大炉容量/h,然后加入纯钛、纯铝、镍硼合金、纯锆进行精炼;精炼后控制浇注温度浇注。

精炼温度为1450-1550℃,精炼时间为30-90min;浇注温度为1450-1550℃。

浇注锭模规格为Φ280~Φ400mm。

步骤3中一次真空自耗熔炼采用Φ340~480mm的坩埚,熔前漏气率控制在2.0Pa/min以下,在熔炼过程中真空度控制在2.0Pa以下,熔炼电流选择2~10kA,熔炼电压选择22~25V,熔速控制在4-7kg/min,熔炼后冷却时间大于1.0小时。

步骤3中二次真空自耗熔炼,采用Φ410~560mm的坩埚,熔前漏气率控制在1.0Pa/min以下,在熔炼过程中真空度控制在1.0Pa以下,熔炼电流选择2~8kA,熔炼电压选择21~25V,熔速控制在2-5kg/min,熔炼后冷却时间大于1.0小时。

步骤3中两次真空自耗熔炼过程中充入氦气冷却,充氦压力控制在200-600Pa。

本发明的有益效果是,一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法,采用NiW中间合金代替高熔点的W金属,使用真空感应熔炼加两次真空自耗熔炼的熔炼方式,在第三次熔炼中使用低熔速控制的方法实现过程稳定控制。本发明在保证不降低铸锭成品率的前提下,使得铸锭中的W元素分布更加均匀。解决了由于W元素成分分布不均匀导致的铸锭各位置成分差异,从而影响合金的锻造工艺,对于解决W元素的成分均匀性及锻件的性能均匀性具有重要作用。

附图说明

图1是本发明方法的流程图;

图2是实施例1制得的铸锭头部横向九点W元素分布图;

图3是实施例1制得的铸锭纵向五点W元素分布图;

图4是实施例2制得的铸锭头部横向九点W元素分布图;

图5是实施例2制得的铸锭纵向五点W元素分布图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。

本发明一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法,如图1所示,具体包括以下步骤:

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