[发明专利]一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法

权利要求书

1.一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤1，按照GH4720Li合金配比，确定原料电解镍、纯铬、电钴、镍钨合金、镍钼合金、纯钛、纯铝、镍硼合金、纯锆、碳的用量；所述镍钨合金为NiW45中间合金；

步骤2，真空感应熔炼：

将步骤1所述原料分别加入真空感应炉中进行真空感应熔炼为铸锭；

步骤3，真空自耗熔炼：

对步骤2得到的铸锭进行两次真空自耗熔炼，第二次真空自耗熔炼采用低熔速控制熔炼。

2.根据权利要求1所述的一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法，其特征在于，所述步骤1中电解镍、电钴进行表面处理，处理完成后表面应洁净且呈现金属亮色，然后与镍钨合金、镍钼合金、纯钛、纯铝、纯铬在100℃下进行10h的干燥。

3.根据权利要求1所述的一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法，其特征在于，所述步骤2具体为：首先加入电解镍、纯铬、电钴、镍钨合金、镍钼合金和碳熔化，熔化速度小于等于1/4最大炉容量/h，然后加入纯钛、纯铝、镍硼合金、纯锆进行精炼；精炼后控制浇注温度浇注。

4.根据权利要求3所述的一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法，其特征在于，所述精炼温度为1450-1550℃，精炼时间为30-90min；浇注温度为1450-1550℃。

5.根据权利要求3所述的一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法，其特征在于，所述浇注的锭模规格为Φ260～Φ400mm。

6.根据权利要求1所述的一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法，其特征在于，所述步骤3中第一次真空自耗熔炼采用Φ340～480mm的坩埚，熔前漏气率控制在2.0Pa/min以下，在熔炼过程中真空度控制在2.0Pa以下，熔炼电流选择2～10kA，熔炼电压选择22～25V，熔速控制在4-7kg/min，熔炼后冷却时间大于1.0小时。

7.根据权利要求1所述的一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法，其特征在于，所述步骤3中第二次真空自耗熔炼，采用Φ410～560mm的坩埚，熔前漏气率控制在1.0Pa/min以下，在熔炼过程中真空度控制在1.0Pa以下，熔炼电流选择2～8kA，熔炼电压选择21～25V，熔速控制在2-5kg/min，熔炼后冷却时间大于1.0小时。

8.根据权利要求1所述的一种提高GH4720Li合金W元素成分均匀性的方法，其特征在于，所述步骤3中两次真空自耗熔炼过程中充入氦气冷却，充氦压力控制在200-600Pa。