[发明专利]具有横向尺寸改变吸收缓冲层的电子部件及其生产方法有效
| 申请号: | 201610908814.4 | 申请日: | 2012-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN107039484B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | C·卡尔松;欧勒·乔尼·哈格尔;雅各布·尼尔森;P·布罗姆斯 | 申请(专利权)人: | 薄膜电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;G11C11/22;G11C13/00;H01L51/05 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
| 地址: | 挪威*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 横向 尺寸 改变 吸收 缓冲 电子 部件 及其 生产 方法 | ||
本申请涉及具有横向尺寸改变吸收缓冲层的电子部件及其生产方法。公开电子部件(1)和包括一个或多个这样的部件(1)的电子设备(100)。电子部件(1)包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4)。所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层(11)。所述电活性部分包括底部电极层(5)和顶部电极层(9)以及位于所述电极之间的至少一个绝缘或半绝缘层(7)。该堆叠还包括布置在顶部电极层(9)和保护层(11)之间的缓冲层(13)。缓冲层(13)适于至少部分地吸收发生在保护层(11)内的横向尺寸改变(ΔL)并且因此防止所述尺寸改变(ΔL)转移到电活性部分(4a),因此减少了发生在电极之间的短路风险。
本申请是申请号为201280031644.6,申请日为2012年6月21日,发明名称为“具有横向尺寸改变吸收缓冲层的电子部件及其生产方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明一般涉及包括布置在柔性衬底上的堆叠层的电子部件,其中所述堆叠包括电活性部分和用于保护电活性保护部分免于划伤和磨损的保护层,并且其中所述电活性部分包括底部电极层和顶部电极层和至少一个分离所述电极的绝缘或半绝缘层。
背景技术
传统上,电子部件典型地提供在刚性的衬底上,诸如硅。然而,电子学也日益使用在非传统的应用领域中并且用于产生电子的新技术出现,这里使用柔性衬底是期望的或甚至要求的。例如,这是印刷电子学的例子,这里从制造、应用领域和/或成本角度方面考虑,使用柔性衬底可能是期望的或甚至要求的。
在非常简单的成分的情况下,印刷电子学可代替传统的电子学,其通过印刷技术可被较便宜地实现;然而,目标通常是传统的电子学因为技术和成本的原因并不合适的新应用领域。印刷电子学的应用涉及,例如,信息可在其中被存储的标签和标识。在这样的应用中,并且原则上在任何电子装置中,存储成分的有效性是决定性的。
本申请人提供可通过印刷过程实现的存储技术,例如在WO2006/135246中描述的。存储器基于铁电材料作为存储物质,特别是铁电聚合物材料。这种存储材料被证明在延长的时间期间上是可再写的和双稳态的。每个存储单元具有像电容的结构,这里存储单元被定位在一对电极之间并且这里存储单元经由将电极连接到电子驱动器或探测电路的导体是可存取的。例如后者可定位在存储器阵列的外围上或单独的模块上。基于这种应用,存储设备可包括从一个单独的存储单元到布置在矩阵阵列中的数百万个单元。一些基本的单元结构和阵列布置示意性地显示在图1a-d中。应当指出,未示出衬底,仅示出了存储单元的电活性部分。每个单元可被视为布置在柔性衬底上的层的序列或堆叠,所述堆叠包括至少一个电活性部分,所述电活性部分包括两个电极层(顶层和底层)及布置在其中的(绝缘)存储材料层。
当制造电容器类型的铁电存储单元时,避免穿过存储单元的短路显然是重要的。这里短路被定义为相比较于期望的正常情况,从一个电极到另一个电极导通或低阻抗的路径。短路对存储单元的功能有害因为它们能隐藏存储单元的数据内容并且破坏写入存储器的数据。当电极之间的存储材料层很薄的时候,短路问题典型地更大。然而,存储层的厚度和驱动电压典型地互相成比例,并且为了满足低电压的要求,除了使用薄的存储层之外,经常没有其它选择。制造过程总是导致存储单元某种程度的短路或更倾向于短路。期望减少短路发生的风险。
进一步,印刷电子装置或成分典型地需要被保护以防止外部影响,诸如物理损伤,但是如在传统的电子器件中,通过例如封装来进行保护典型地不可能也不期望。而是期望的保护类型是终接堆叠的外保护层并且通过例如提供抗划伤性和耐磨损性并且避免有害环境的影响来加以保护。这种保护层可被提供为覆盖多个存储单元的整体层,例如通过完全覆盖印刷存储设备。这种保护层典型地需要是硬的和相对厚的,例如在2-20微米范围内,并且使用在流体状态可被沉积为层并且之后例如通过使用UV固化漆硬化的材料作为保护层,这是合适的和期望的。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





