[发明专利]具有横向尺寸改变吸收缓冲层的电子部件及其生产方法有效
| 申请号: | 201610908814.4 | 申请日: | 2012-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN107039484B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | C·卡尔松;欧勒·乔尼·哈格尔;雅各布·尼尔森;P·布罗姆斯 | 申请(专利权)人: | 薄膜电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;G11C11/22;G11C13/00;H01L51/05 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
| 地址: | 挪威*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 横向 尺寸 改变 吸收 缓冲 电子 部件 及其 生产 方法 | ||
1.一种制造具有减少的短路风险的电子部件(1)的方法,包括以下步骤:
提供(110)柔性衬底(3),
在所述衬底上布置(110)电活性部分(4a)作为堆叠层,其中所述电活性部分包括底部电极层(5)、顶部电极层(9)以及在所述底部电极层和所述顶部电极层之间的至少一个绝缘或半绝缘层(7),
在所述电活性部分的顶部沉积保护层流体材料,
将所述保护层流体材料硬化(140)成保护性硬层(11),
其特征在于包括以下步骤:
在所述保护层流体材料的沉积之后,但在硬化步骤之前,电操作(120)所述电活性部分。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述保护层流体材料的沉积之前,在所述电活性部分(4a)上布置(130)缓冲层(13)的步骤,其中所述沉积随后在所述缓冲层上进行。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,布置(130)缓冲层(13)的所述步骤包括将所述缓冲层印刷在所述电活性部分(4a)上的步骤。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,电操作(120)所述电活性部分(4a)的所述步骤包括通过应用相反极性和幅度大于所述绝缘或半绝缘层的材料的强迫电压的电压来切换所述绝缘或半绝缘层(7)内的极性。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,切换循环的次数在100至300之间。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,布置(110)所述电活性部分的所述步骤包括将所述底部电极层(5)、所述绝缘或半绝缘层(7)以及所述顶部电极层(9)中的每一个印刷在下方相应的衬底(3)或层上的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,沉积所述保护层流体材料的所述步骤包括印刷所述保护层流体材料的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





