[发明专利]用于高功率电迁移的通孔轨解决方案

说明书

本发明实施例涉及一种具有防止诸如电迁移的可靠性问题的通孔轨的集成电路。在一些实施例中，集成电路具有在半导体衬底上方布置的多个第一导电接触件。在多个第一导电接触件上方布置第一金属互连引线，且在第一金属互连引线上方布置第二金属互连引线。通孔轨布置在第一金属互连引线上方且电连接第一金属互连引线和第二金属互连引线。通孔轨具有在多个导电接触件的两个或多个上方连续延伸的长度。通孔轨的长度在第一金属互连引线和第二金属互连引线之间且沿着通孔轨的长度提供了增加的横截面积，从而减轻集成电路内的电迁移。本发明实施例涉及用于高功率电迁移的通孔轨解决方案。

技术领域

本发明实施例涉及用于高功率电迁移的通孔轨解决方案。

背景技术

在过去四十年中，对更佳的性能(例如，增大的处理速度，存储空间等)、收缩的形状因数、延伸的电池寿命以及更低的成本的持续需求已经驱动了半导体制造产业。为响应需求，响应于该需求，该产业已持续降低半导体器件部件的尺寸，从而使得现代集成芯片可以包括布置在单个半导体管芯上的数百万或者数十亿的半导体器件。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种集成电路，包括：多个导电接触件，布置在半导体衬底上方；第一金属互连引线，布置在所述多个导电接触件上方；第二金属互连引线，布置在所述第一金属互连引线上方；以及通孔轨，布置在所述第一金属互连引线上方且配置为电连接所述第一金属互连引线和所述第二金属互连引线，其中，所述通孔轨具有在所述多个导电接触件的两个或多个上方连续延伸的长度。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种集成电路，包括：有源区，包括布置在阱区内的多个源极/漏极区，所述阱区设置在衬底中；多个栅极结构，以接触栅极间距布置在所述衬底上方的所述多个源极/漏极区的邻近的源极/漏极区之间；多个中段制程(MEOL)结构，布置在所述多个源极/漏极区上；多个导电接触件，布置在所述多个MEOL结构上方；第一金属互连引线，布置在所述多个导电接触件上方；第二金属互连引线，布置在所述第一金属互连引线上方；以及通孔轨，配置为电连接所述第一金属互连引线和所述第二金属互连引线，其中，所述通孔轨具有大于所述接触栅极间距的长度。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种形成集成芯片的方法，包括：在半导体衬底上方布置多个导电接触件；在所述多个导电接触件上方形成第一金属互连引线；在所述第一金属互连引线上方形成通孔轨，其中，所述通孔轨具有在所述多个导电接触件的两个或多个上方连续延伸的长度；以及在所述通孔轨上形成第二金属互连引线。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1示出了具有包括配置为减轻电迁移的通孔轨的后段制程(BEOL)金属堆叠件的集成电路的一些实施例的截面图。

图2示出了具有包括通孔轨的BEOL金属堆叠件的集成电路的一些附加实施例的截面图。

图3示出了具有包括通孔轨的BEOL金属堆叠件的集成电路的一些附加实施例的顶视图。

图4示出了具有包括通孔轨的集成电路的一些附加实施例的截面图。

图5示出了具有包括通孔轨的BEOL金属堆叠件的集成电路的截面图的一些附加实施例。

图6A至图6B示出了包括具有在多个FinFET器件上方布置的通孔轨的后段制程(BEOL)金属堆叠件的集成电路的一些实施例。

图7至图17示出了形成具有BEOL金属堆叠件的集成电路的方法的一些实施例的截面图，其中，BEOL金属堆叠件包括通孔轨。