[发明专利]用于高功率电迁移的通孔轨解决方案有效
| 申请号： | 201610903438.X | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107039525B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 萧锦涛;曾健庭;余基业;陈志良;赖志明;陈俊光;刘如淦;杨超源;陈文豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 功率 迁移 通孔轨 解决方案 | ||
1.一种集成电路，包括：
多个导电接触件，布置在半导体衬底上方；
第一金属互连引线，布置在所述多个导电接触件上方；
第二金属互连引线，布置在所述第一金属互连引线上方；以及
通孔轨，布置在所述第一金属互连引线上方且配置为电连接所述第一金属互连引线和所述第二金属互连引线，其中，所述通孔轨具有在所述多个导电接触件的两个或多个上方连续延伸的长度，
其中，所述第一金属互连引线和所述第二金属互连引线为在第一方向和第二方向上延伸越过所述通孔轨的相对侧壁的连续结构，所述第一方向垂直于所述第二方向，并且其中，所述第一金属互连引线的侧壁具有第一角度，所述通孔轨的侧壁具有第二角度，所述第一角度与所述第二角度不同。
2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：
通孔，以偏离所述通孔轨的位置布置在所述第一金属互连引线上方，其中，所述通孔和所述通孔轨具有相同的宽度和不同的长度。
3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：
有源区，包括布置阱区内的多个源极/漏极区，所述阱区设置在所述半导体衬底内；
多个栅极结构，布置在所述半导体衬底上方的所述多个源极/漏极区的邻近的源极/漏极区之间；以及
多个中段制程(MEOL)结构，布置在所述多个源极/漏极区上的所述多个栅极结构之间。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述第一金属互连引线和所述第二金属互连引线在相同的方向上沿着所述有源区的整个长度延伸。
5.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述多个中段制程结构在所述有源区上方以第一方向延伸且所述通孔轨的长度在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。
6.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述多个导电接触件将所述多个中段制程结构电连接至所述第一金属互连引线。
7.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述通孔轨在所述多个栅极结构的两个或多个上方延伸。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一金属互连引线具有第一高度且所述通孔轨具有大于所述第一高度的第二高度。
9.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述通孔轨的下表面通过扩散阻挡衬垫与所述第一金属互连引线分离且所述通孔轨的上表面直接接触所述第二金属互连引线。
10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述通孔轨具有矩形的覆盖区。
11.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述通孔轨、所述第一金属互连引线和所述第二金属互连引线位于不同的层中。
12.一种集成电路，包括：
有源区，包括布置在阱区内的多个源极/漏极区，所述阱区设置在衬底中；
多个栅极结构，以接触栅极间距布置在所述衬底上方的所述多个源极/漏极区的邻近的源极/漏极区之间；
多个中段制程(MEOL)结构，布置在所述多个源极/漏极区上；
多个导电接触件，布置在所述多个中段制程结构上方；
第一金属互连引线，布置在所述多个导电接触件上方；
第二金属互连引线，布置在所述第一金属互连引线上方；以及
通孔轨，配置为电连接所述第一金属互连引线和所述第二金属互连引线，其中，所述通孔轨具有大于所述接触栅极间距的长度，
其中，所述第一金属互连引线和所述第二金属互连引线为在第一方向和第二方向上延伸越过所述通孔轨的相对侧壁的连续结构，所述第一方向垂直于所述第二方向，并且其中，所述第一金属互连引线的侧壁具有第一角度，所述通孔轨的侧壁具有第二角度，所述第一角度与所述第二角度不同。
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