[发明专利]功率场效应晶体管(FET)、预驱动器、控制器和感测电阻器的集成在审
申请号: | 201580066697.5 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN107006123A | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | I·W·兰穆图 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/14 | 分类号: | H05K1/14 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 赵志刚,赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 场效应 晶体管 fet 驱动器 控制器 电阻器 集成 | ||
1.一种多芯片封装,其包括:
至少两个低侧场效应晶体管即LS FET;
至少两个高侧FET即HS FET;以及
管芯,其包括所述至少两个HS FET或所述至少两个LS FET。
2.根据权利要求1所述的多芯片封装,其中所述管芯是包括所述至少两个HS FET的第一管芯,并且其中所述多芯片封装还包括:
第二管芯,其包括所述至少两个LS FET的第一LS FET;以及
第三管芯,其包括所述至少两个LS FET的第二LS FET。
3.根据权利要求2所述的多芯片封装,其还包括:
第四管芯,其包括控制器电路或驱动器电路中的至少一个。
4.根据权利要求3所述的多芯片封装,其还包括:
第一电阻器,其耦合到所述第一LS FET的源极电极;以及
第二电阻器,其耦合到所述第二LS FET的源极电极。
5.根据权利要求1所述的多芯片封装,其中所述管芯是包括所述至少两个HS FET的第一管芯,其中所述多芯片封装还包括:
第二管芯,其包括所述两个LS FET中的至少一个。
6.根据权利要求5所述的多芯片封装,其还包括:
热焊盘;
第三管芯,其包括控制器电路或驱动器电路中的至少一个;其中所述第二管芯和所述第三管芯设置在所述热焊盘上。
7.根据权利要求6所述的多芯片封装,其中所述第二管芯包括所述LS FET中的至少两个。
8.根据权利要求6所述的多芯片封装,其中所述至少两个HS FET是漏极衬底HS FET,并且其中所述至少两个LS FET是源极衬底LS FET。
9.根据权利要求1所述的多芯片封装,其中所述管芯是包括所述至少两个HS FET的第一管芯,并且其中所述至少两个HS FET是漏极衬底HS FET。
10.根据权利要求1所述的多芯片封装,其中所述管芯是包括所述至少两个LS FET的第一管芯,并且其中所述多芯片封装还包括:
第二管芯,其包括所述至少两个HS FET的第一HS FET;以及
第三管芯,其包括所述至少两个HS FET的第二HS FET,其中所述第二管芯和所述第三管芯垂直堆叠在所述第一管芯的顶部上。
11.根据权利要求10所述的多芯片封装,其还包括:
第一夹具,其位于所述第一管芯与所述第二管芯之间,并且耦合到所述至少两个LS FET的所述第一LS FET的漏极电极,并耦合到所述第一HS FET的源极电极;以及
第二夹具,其位于所述第一管芯与所述第三管芯之间,并且耦合到所述至少两个LS FET的第二LS FET的漏极电极,并耦合到所述第二HS FET的源极电极。
12.根据权利要求10所述的多芯片封装,其还包括:
第四管芯,其包括控制器电路或驱动器电路中的至少一个。
13.根据权利要求10所述的多芯片封装,其还包括:
第一电阻器,其耦合到所述第一HS FET的漏极电极;以及
第二电阻器,其耦合到所述第二HS FET的漏极电极。
14.根据权利要求1所述的多芯片封装,其中所述管芯是包括所述至少两个LS FET的第一管芯,其中所述多芯片封装还包括:
第二管芯,其包括所述至少两个HS FET,其中所述第二管芯垂直堆叠在所述第一管芯的顶部上。
15.根据权利要求14所述的多芯片封装,其还包括:
第三管芯,其包括控制器电路或驱动器电路中的至少一个。
16.根据权利要求14所述的多芯片封装,其还包括:
电阻器,其耦合到所述第一HS FET和所述第二HS FET的漏极电极。
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