[实用新型]一种基于宽禁带功率器件的高效率射频功率放大器电路有效

专利信息
申请号: 201521104071.2 申请日: 2015-12-24
公开(公告)号: CN205265628U 公开(公告)日: 2016-05-25
发明(设计)人: 倪春;王辉;张忠祥;张鹏;赵远洋;张晓 申请(专利权)人: 合肥师范学院
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/189;H03F3/20
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 230601 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 宽禁带 功率 器件 高效率 射频 功率放大器 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及功率放大器的设计领域,尤其涉及一种基于宽禁带功率器件 的高效率射频功率放大器电路。

背景技术

众所周知,射频功率放大器是各种无线通信系统中必要的射频模块也是射频 模块中功率消耗最大的器件。伴随着现代无线通信服务的快速增长,特别是近年 来,随着3G和4G移动通信网络的大规模建设运营,越来越多的设备厂商和电信 运营商开始关注降低设备投资和运营成本。当今在射频功率放大器研究领域,核 心的技术一方面是半导体功率器件的发开,另一方面就是射频功率放大器设计技 术的发展。在射频功率器件方面,以宽禁带功率器件为代表的第三代功率器件引 发了产业界的巨大变革,宽禁带功率器件具有高的击穿电压、很高的热导率,明 显高于其它材料的电子饱和速率和极佳的抗辐射能力,非常适合制作高温,高频 和大功率器件。所以,基于宽禁带半导体材料的功率器件应用技术的开发已经引 起了学术界和工程技术人员的广泛关注。

在射频功率放大器设计技术领域,主要的研究方向是放大器的线性化和高效 率,因此,新一代功率放大器线性化技术数字预失真技术得到了极大的发展。而 增强效率的技术发展相对比较滞后,目前,在移动通信领域的射频功率放大器效 率提升方法常见的有包络跟踪和平均功率跟踪,通过结合功率检测用来调节漏极 直流电压源的电压,从而完成对射频功率放大器效率的改善。但是,很多效率提 高的技术方案都需要设计额外的控制电路,如电源控制芯片电路等,从降低电路 成本和简化设计电路的复杂度来说,这些方案都需要进行改善。

实用新型内容

实用新型目的:针对上述现有技术存在的问题和不足,本实用新型的目的是 提供一种基于宽禁带功率器件的高效率射频功率放大器电路,该种电路的理想效 率可以达到80%以上,而且电路的结构简单,不需要额外的控制电路,有效的降 低了电路的设计生产成本和运营成本。

技术方案:本实用新型公开了一种基于宽禁带功率器件的高效率射频功率放 大器电路,其特征在于:包括:输入端阻抗匹配网络,用于将所述宽禁带功率器 件的输入阻抗与源阻抗进行共轭匹配,实现输入信号的最大功率传输;宽禁带功 率器件,用于完成对射频信号输入功率的放大;输出端谐波控制网络,用于调节 三个谐波阻抗,对基波和三次谐波短路,对二次谐波开路;输出端漏源寄生参数 补偿网络,用于对晶体管输出寄生参数的参数补偿;输出端阻抗匹配网络,用于 将调谐网络的阻抗实现功率最大传输。

其中,宽禁带功率器件的输入端接入输入信号,该输入端阻抗匹配网络与宽 禁带功率器件的输入端相连;输出端漏源寄生参数补偿网络与宽禁带功率器件的 输出端相连;输出端谐波控制网络的输入端与宽禁带功率器件的输出端相连;输 出端阻抗匹配网络的输入端与所述输出端谐波控制网络相连,

作为本实用新型的进一步优化,本实用新型所述的宽禁带功率器件为采用禁 带宽度大于等于3.2eV的半导体材料的功率器件,该宽禁带功率器件工作于开关 状态时,导通角为50%,且本实用新型的宽禁带功率器件可以采用SiC、GaN、金 刚石等半导体材料。

作为本实用新型的进一步优化,本实用新型所述的输入端阻抗匹配网络,采 用调谐于基波的并联或/和串联的LC谐振电路,其中,串联或并联的LC振荡电 路的数量可以是多个。

作为本实用新型的进一步优化,本实用新型所述的输出端谐波控制网络采用 并联LC谐振电路,调整谐波的阻抗,

调整电路二次谐波阻抗为无穷大,使得本实用新型的射频功率放大器的二次 谐波为开路状态,调整电路三次谐波阻抗为零,使得本实用新型的射频功率放大 器的三次谐波为短路状态,输出端谐波控制网络的并联LC谐振电路将射频功率 放大器电路调节为二次谐波开路,其相应的谐波分量只有电压分量,并且输出并 联LC谐振电路将射频功率放大器电路调节为三次谐波短路,其相应的谐波分量 只有电流分量。

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