[实用新型]一种基于宽禁带功率器件的高效率射频功率放大器电路有效

专利信息
申请号: 201521104071.2 申请日: 2015-12-24
公开(公告)号: CN205265628U 公开(公告)日: 2016-05-25
发明(设计)人: 倪春;王辉;张忠祥;张鹏;赵远洋;张晓 申请(专利权)人: 合肥师范学院
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/189;H03F3/20
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 230601 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 宽禁带 功率 器件 高效率 射频 功率放大器 电路
【权利要求书】:

1.基于宽禁带功率器件的高效率射频功率放大器电路,其特征在于:包括:

输入端阻抗匹配网络,用于将所述宽禁带功率器件的输入阻抗与源阻抗进行 共轭匹配,实现输入信号的最大功率传输;

宽禁带功率器件,用于完成对射频信号输入功率的放大;

输出端谐波控制网络,用于调节三个谐波阻抗,对基波和三次谐波短路,对 二次谐波开路;

输出端漏源寄生参数补偿网络,用于对晶体管输出寄生参数的参数补偿;

输出端阻抗匹配网络,用于将调谐网络的阻抗实现功率最大传输;

所述输入端阻抗匹配网络与宽禁带功率器件的输入端相连;所述输出端漏源 寄生参数补偿网络与宽禁带功率器件的输出端相连;所述输出端谐波控制网络的 输入端与宽禁带功率器件的输出端相连;所述输出端阻抗匹配网络的输入与所述 输出端谐波控制网络相连。

2.根据权利要求1所述的基于宽禁带功率器件的高效率射频功率放大器电 路,其特征在于:所述宽禁带功率器件为采用禁带宽度大于等于3.2eV的半导体 材料的功率器件,该宽禁带功率器件工作于开关状态时,导通角为50%。

3.根据权利要求1或2所述的基于宽禁带功率器件的高效率射频功率放大 器电路,其特征在于:所述输入端阻抗匹配网络,采用调谐于基波的并联或/和 串联的LC谐振电路。

4.根据权利要求1或2所述的基于宽禁带功率器件的高效率射频功率放大 器电路,其特征在于:所述输出端谐波控制网络采用并联LC谐振电路。

5.根据权利要求1或2所述的基于宽禁带功率器件的高效率射频功率放大 器电路,其特征在于:所述输出端漏源寄生参数补偿网络采用并联电容结构。

6.根据权利要求1所述的基于宽禁带功率器件的高效率射频功率放大器电 路,其特征在于:输出阻抗匹配网络采用调谐于基波的并联或/和串联的LC谐振 电路。

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