[发明专利]具有改进的磁晶粒尺寸分布和晶间偏析的磁介质

说明书

本发明涉及具有改进的磁晶粒尺寸分布和晶间偏析的磁介质。方法和系统提供在磁存储设备中可使用的磁记录介质。磁记录介质包括基底、至少一个中间层和用于存储磁数据的磁记录堆栈。中间层(一个或多个)包括具有第一扩散常数的主要相和具有大于第一扩散常数的第二扩散常数的第二相。磁记录堆栈停留在中间层上，使得至少一个中间层在基底和磁记录堆栈之间。

技术领域

本发明涉及具有改进的磁晶粒尺寸分布和晶间偏析的磁介质。

背景技术

常规的磁记录磁盘驱动器包括附连至悬浮物和介质例如磁盘的滑块(slider)。滑块通常包括磁读取变换器(阅读器)和磁写入变换器(写入器)。写入器沿着介质中的磁道磁性地将数据记录为二进制位。阅读器从介质读回数据。

磁记录中的趋势是达到更高的面密度。例如，期望的是高达1Tbit/in²和更高的密度。为了在这种面密度下读取、写入和存储数据，阅读器、写入器和介质已经进化。例如，可以使用隧道磁电阻(TMR)传感器以阅读具有足够高的信号的较高密度的介质。垂直磁记录(PMR)写入器和热辅助磁记录(HAMR)写入器可以用于写入这种高密度介质，其利用激光加热介质的区域至接近和/或高于介质的居里温度的温度。类似地，磁介质已经发展为在较高的面密度下存储数据。

虽然这种常规的磁记录磁盘驱动器起作用，但是存在缺点。例如，对于高面密度减小的噪音，可以期望的是改进的信噪比和解决其他问题的机制。可以能够提供这些特征的介质是期望的。因此，所需要的是用于改进磁记录磁盘驱动器在较高面密度下的性能的系统和方法。

发明内容

本发明提供一种在磁存储设备中可使用的磁记录介质，所述磁记录介质包括：

基底；

至少一个中间层，所述中间层具有主要相和第二相，所述主要相具有第一扩散常数，所述第二相具有大于所述第一扩散常数的第二扩散常数；和

用于存储磁数据的磁记录堆栈，所述磁记录堆栈停留在所述中间层上，使得所述至少一个中间层在所述基底和所述磁记录堆栈之间。

在一种实施方式中，其中所述第二相是共晶相。

在一种实施方式中，其中所述主要相具有第一晶体结构、第一方向和第一组成，所述第二相是具有不同于所述第一组成的第二组成的沉淀物，所述第一方向和所述第一晶体结构基本上不被所述第二相改变。

在一种实施方式中，其中所述至少一个中间层包括至少一个含Ru层。

在一种实施方式中，其中所述至少一个含Ru层包括第一中间层，所述第一中间层包括Ru和Co。

在一种实施方式中，其中所述至少一个含Ru层包括所述第一中间层、第二中间层和第三中间层，所述第二中间层在所述第一中间层和所述第三中间层之间。

在一种实施方式中，其中所述第二中间层在第一溅射压力下被溅射，并且所述第三中间层在第二溅射压力下被溅射，所述第二溅射压力大于所述第一溅射压力。

在一种实施方式中，其中所述至少一个含Ru层包括第一中间层和第二中间层，所述第二中间层在所述第一中间层和所述磁记录堆栈之间，所述第一中间层和所述第二中间层的每个包括Ru。

在一种实施方式中，其中所述第一中间层在第一溅射压力下被溅射，并且所述第二中间层在第二溅射压力下被溅射，所述第二溅射压力大于所述第一溅射压力。

在一种实施方式中，其中所述至少一个含Ru层也包括选自Mo、Nb、W、Al、Be、C、Dy、Gd、Ge、Ho、Lu、Nd、Pd、Sm、Tb、Y和Zr的另外的材料。