[发明专利]具有改进的磁晶粒尺寸分布和晶间偏析的磁介质

权利要求书

1.一种在磁存储设备中可使用的磁记录介质，所述磁记录介质包括：

基底；

至少一个中间层，所述中间层具有主要相和第二相，所述主要相具有第一扩散常数，所述第二相具有大于所述第一扩散常数的第二扩散常数，所述至少一个中间层包括第一中间层、第二中间层和第三中间层，所述第二中间层在所述第一中间层和所述第三中间层之间，所述第一中间层、所述第二中间层和所述第三中间层中的每个包括Ru，所述第二中间层和所述第三中间层中的至少一个具有所述主要相和所述第二相，所述第一中间层包括Ru和Co，其中所述第一中间层进一步包括Mo、Nb、W、Al、Be、C、Dy、Gd、Ge、Ho、Lu、Nd、Pd、Sm、Tb、Y或Zr中的至少一种；和

用于存储磁数据的磁记录堆栈，所述磁记录堆栈停留在所述第三中间层上，使得所述至少一个中间层在所述基底和所述磁记录堆栈之间。

2.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二相是共晶相。

3.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述主要相具有第一晶体结构、第一方向和第一组成，所述第二相是具有不同于所述第一组成的第二组成的沉淀物，所述第一方向和所述第一晶体结构基本上不被所述第二相改变。

4.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二中间层在第一溅射压力下被溅射，并且所述第三中间层在第二溅射压力下被溅射，所述第二溅射压力大于所述第一溅射压力。

5.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二中间层进一步包括Mo、Nb、W、Al、Be、C、Dy、Gd、Ge、Ho、Lu、Nd、Pd、Sm、Tb、Y和Zr中的至少一种，并且其中所述第三中间层包括Mo、Nb、W、Al、Be、C、Dy、Gd、Ge、Ho、Lu、Nd、Pd、Sm、Tb、Y和Zr中的至少一种。

6.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二中间层和所述第三中间层中的至少一个也包括选自Mo、Nb、W、Al、Be、C、Dy、Gd、Ge、Ho、Lu、Nd、Pd、Sm、Tb、Y和Zr的另外的材料。

7.权利要求6所述的磁记录介质，其中如果所述另外的材料是Mo，则所述第二中间层和所述第三中间层中的至少一个包括不超过30原子百分比的Mo，其中如果所述另外的材料是Nb，则所述第二中间层和所述第三中间层中的至少一个包括不超过20原子百分比的Nb，并且其中如果所述第二中间层和所述第三中间层中的至少一个包括W，则所述第二中间层和所述第三中间层中的至少一个包括不超过50原子百分比的W。

8.权利要求7所述的磁记录介质，其中所述第二中间层和所述第三中间层中的至少一个包括W。

9.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一中间层和所述第二中间层中的至少一个具有带有多个晶界的多个晶粒，所述第二相偏析至所述多个晶界。

10.权利要求1所述的磁记录介质，进一步包括：

在所述基底上的软垫层；

在所述软垫层上的方向控制层，所述方向控制层在所述软垫层和所述至少一个中间层之间。