[发明专利]具有提高的开口率的有机发光二极管显示器

说明书

本发明涉及具有提高的开口率的有机发光二极管显示器。有机发光二极管显示器可以具有像素的阵列。每个像素可以具有有机发光二极管，该有机发光二极管具有阳极和阴极。阳极可以由图案化的金属层形成。像素中的薄膜晶体管电路可以包括晶体管，诸如驱动晶体管和切换晶体管。数据线可以将数据信号供应给像素并且水平控制线可以将控制信号供应给晶体管的栅极。切换晶体管可以被耦接在电压初始化线与每个阳极之间。可以使用与形成阳极的金属层不同的金属层来形成薄膜晶体管电路中的电容器结构和电压初始化线。

本申请要求2014年11月17日提交的美国专利申请No.14/543，088的优先权，其整体通过参考被并入于此。

技术领域

本申请一般涉及显示器，并且，更特别地涉及有机发光二极管显示器。

背景技术

电子设备经常包括显示器。有机发光二极管显示器可以表现出期望的属性，诸如广视场、紧凑的尺寸以及低功率消耗。

有机发光二极管显示器具有像素阵列。每个像素可以包含有机发光二极管和控制流过有机发光二极管的电流的薄膜晶体管电路。存储电容器可以被用来存储连续的图像帧之间的数据。

形成有机发光二极管显示器可能是挑战性的。如果不小心处理，形成用于控制像素的薄膜晶体管电路的结构可能耗费比期望更多的面积，由此限制每个像素的发光面积的量(即，限制像素的开口率(aperture ratio))。还可能难以在像素内不耗费比期望更多的面积的情况下形成存储电容器。

因此会期望的是，能够形成具有提高的开口率和存储电容器结构的有机发光二极管显示器。

发明内容

有机发光二极管显示器可以具有像素的阵列。每个像素可以具有有机发光二极管，该有机发光二极管具有阳极和阴极。阳极可以由图案化的金属层形成。

像素中的薄膜晶体管电路可以包括晶体管，诸如驱动晶体管和切换晶体管。数据线可以将数据信号供应给像素并且水平控制线可以将控制信号供应给晶体管的栅极。电压初始化线可以被用来将电压分配给像素列以在阈值电压补偿操作期间使用。

切换晶体管可以被耦接在电压初始化线与每个阳极之间。可以使用与形成阳极的金属层不同的金属层来形成薄膜晶体管电路中的电容器结构和电压初始化线。

附图说明

图1是根据一个实施例的具有显示器的示例性电子设备的图。

图2是根据一个实施例的示例性显示器的图。

图3是根据一个实施例的示例性有机发光二极管像素电路的图。

图4是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中金属层置于第一和第二缓冲层之间。

图5是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中诸如初始化电压路径之类的信号路径已经由金属屏蔽层的一部分形成。

图6是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中诸如电压初始化路径之类的信号路径已经由置于栅极绝缘体层与缓冲层之间的金属层形成。

图7是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中诸如电压初始化路径之类的信号路径已经由栅极金属层的一部分形成。

图8是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中位于第一和第二层间电介质层之间的金属层被用于形成初始化电压路径。

图9是根据一个实施例的有机发光二极管和关联的薄膜结构的截面的侧视图，其中由源极-漏极金属层的一部分形成的金属层被用于形成初始化电压路径。