[发明专利]具有提高的开口率的有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201510755190.2 | 申请日: | 2015-11-09 |
公开(公告)号: | CN105609526B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 林敬伟;崔宰元;金民圭;张世昌;蔡宗廷;V·古普塔;朴英培 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 提高 开口 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种显示器,包括:
像素的阵列,其中每个像素具有有机发光二极管,所述有机发光二极管具有阳极和阴极,并且每个像素具有薄膜晶体管电路,所述薄膜晶体管电路具有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的晶体管;
水平控制线,耦接到所述晶体管中的栅极并且将控制信号供应给所述阵列中的像素行;
数据线,与所述阵列中的像素列关联;以及
初始化电压线,与所述阵列中的像素列关联,其中在每个像素中,所述切换晶体管将所述电压初始化线中的一个耦接到该像素中的所述有机发光二极管的阳极,其中所述薄膜晶体管电路包括形成用于所述晶体管的半导体沟道的半导体层、与所述半导体层相邻的栅极绝缘体层、与所述栅极绝缘体层相邻并且被图案化以形成所述栅极的栅极层、被图案化以形成用于所述晶体管的源极-漏极端子的源极-漏极层、在所述源极-漏极层上的电介质层、被图案化以形成所述像素中的阳极的金属阳极层、置于所述电介质层与所述金属阳极层之间的有机钝化层、以及不由所述金属阳极层的一部分形成并且被图案化以形成所述电压初始化线的附加金属层。
2.根据权利要求1所述的显示器,其中所述附加金属层置于所述电介质层与所述有机钝化层之间。
3.根据权利要求2所述的显示器,还包括通孔,所述通孔穿过所述电介质层并且将所述附加金属层电连接到所述源极-漏极层。
4.根据权利要求3所述的显示器,其中所述电介质层包括硅氮化物层。
5.根据权利要求2所述的显示器,其中每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器并且其中所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。
6.根据权利要求5所述的显示器,其中所述源极-漏极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分,并且其中所述电介质层置于所述附加金属层的所述被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分与所述源极-漏极层的所述形成附加电极的部分之间。
7.根据权利要求1所述的显示器,其中所述附加金属层具有在所述晶体管之下形成屏蔽层的部分。
8.根据权利要求7所述的显示器,还包括在所述半导体层与所述附加金属层之间的缓冲层,其中每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器并且其中所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。
9.根据权利要求8所述的显示器,其中所述栅极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。
10.根据权利要求8所述的显示器,其中所述半导体层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。
11.根据权利要求1所述的显示器,其中所述附加金属层置于所述栅极层与所述源极-漏极层之间。
12.根据权利要求10所述的显示器,还包括置于所述源极-漏极层与所述栅极层之间的第一层间电介质层和第二层间电介质层,其中所述附加金属层置于所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层之间,其中每个像素的所述薄膜晶体管电路包括电容器,并且其中所述附加金属层具有被图案化以形成用于所述电容器的电极的部分。
13.根据权利要求12所述的显示器,其中所述栅极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。
14.根据权利要求12所述的显示器,其中所述源极-漏极层具有形成用于每个像素中的所述电容器的附加电极的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的