[发明专利]功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置，所述功率半导体装置带有功率半导体结构元件(2)、基体(3)和沿第一方向(X)依次布置的电容器(6)，所述电容器与所述功率半导体结构元件(2)导电地连接，其中，所述功率半导体装置(1)具有电容器紧固器件(7)，所述电容器紧固器件具有一体式构造的第一紧固体和一体式构造的第二紧固体(4、5)，其中，所述第一紧固体(4)具有沿所述第一方向(X)依次布置的第一框架元件(8)，并且所述第二紧固体(5)具有沿所述第一方向(X)依次布置的第二框架元件(9)，其中，所述第一框架元件和所述第二框架元件(8、9)相对置地布置并且在侧面框住所述电容器(6)，并且具有与所述电容器(6)的机械接触，其中，所述第一紧固体(4)借助第一扣合连接和第二扣合连接(32)与所述第二紧固体(5)连接，其中，所述第一紧固体和所述第二紧固体(4、5)直接或间接地与所述基体(3)连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一紧固体(4)具有第一扣合元件(10)和第一扣合配对元件(11)，并且所述第二紧固体(5)具有第二扣合元件(12)和第二扣合配对元件(13)，其中，通过将所述第一扣合元件(10)与所述第二扣合配对元件(13)形状锁合地连接，使所述第一紧固体(4)借助第一扣合连接(32)与所述第二紧固体(5)连接，并且通过将所述第二扣合元件(12)与所述第一扣合配对元件(11)形状锁合地连接，使所述第一紧固体(4)借助第二扣合连接(33)与所述第二紧固体(5)连接。

3.根据权利要求2所述的功率半导体装置，其特征在于，关于所述第一方向(X)，所述第一扣合元件(10)布置在所述依次布置的第一框架元件(8)的最前面，而所述第一扣合配对元件(11)布置在所述依次布置的第一框架元件(8)的最后面，并且关于所述第一方向(X)，所述第二扣合配对元件(13)布置在所述依次布置的第二框架元件(9)的最前面，而所述第二扣合元件(12)布置在所述依次布置的第二框架元件(9)的最后面。

4.根据权利要求2或3所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一扣合元件和所述第二扣合元件(10、12)分别构造为扣合钩(10、12)，其中，通过使各自的扣合钩(10、12)钩住各自附属的扣合配对元件(11、13)，使各自的扣合元件(10、12)与各自附属的扣合配对元件(11、13)形状锁合地连接。

5.根据权利要求2或3所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一紧固体和所述第二紧固体(4、5)具有相同的几何形状，其中，所述第二紧固体(5)相对所述第一紧固体(4)关于所述电容器(6)的轴向方向(Z)转动了180°地布置。

6.根据权利要求5所述的功率半导体装置，其中，所述第一框架元件和所述第二框架元件(8、9)的数量是偶数，

其中，沿所述第一方向(X)，前一半的所述第一框架元件(8)与布置在相应的电容器(6)的背离所述基体(3)的表面(51)之上的遮盖元件(17)连接，并且沿所述第一方向(X)，后一半的所述第二框架元件(9)与布置在相应的电容器(6)的背离所述基体(3)的表面(51)之上的遮盖元件(18)连接，或者

其中，沿所述第一方向(X)，后一半的所述第一框架元件(8)与布置在相应的电容器(6)的背离所述基体(3)的表面(51)之上的遮盖元件连接，并且沿所述第一方向(X)，前一半的所述第二框架元件(9)与布置在相应的电容器(6)的背离所述基体(3)的表面(51)之上的遮盖元件连接，

其中，各自的遮盖元件(17、18)与各自的框架元件(8、9)一体式构造。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，所述功率半导体结构元件(2)布置在导电的导体迹线(23)上。

8.根据权利要求7所述的功率半导体装置，其特征在于，在所述导电的导体迹线(23)与所述基体(3)之间布置有不导电的绝缘层(56)。