[发明专利]导线框架和使用该导线框架的功率集成电路封装件

说明书

技术领域

本发明大体上涉及半导体领域，更具体地，涉及导线框架和使用该导线框架的功率集成电路封装件。

背景技术

在对功率集成电路封装件进行高压隔离测试时，常常存在着输入端和输出端短路的问题。造成这一问题的主要原因在于：在对功率集成电路封装仅进行高压测试时，在封装件的输入端和输出端间会产生电弧，电弧可进一步沿着封装体流经支撑件；由于目前常见的支撑件通常为整体弧形结构，爬电(creepage distance)距离较短，从而导致功率集成电路封装件的输入端和输出端短路。

举例而言，图1是一现有功率集成电路封装件的结构示意图。如图1所示，该现有功率集成电路封装件10，其包含的支撑件110分别位于功率集成电路封装件10的相对侧，且每一侧的支撑件110都为整体弧形结构，导致该支撑件110两端的爬电间距，即安全距离较短。在对该功率集成电路封装件10进行高压测试时，电弧会流经该支撑件，导致该功率集成电路封装件10的输入端和输出端短路。

功率集成电路封装输入端和输出端的短路会影响封装件内部的芯片，严重的可能直接损坏封装件内部的芯片，从而影响功率集成电路封装件的质量，进而影响产品良率。

因此，现有的功率集成电路封装结构需进一步改进，以避免其输入端和输出端的电弧通过支撑件产生爬电而造成输入端和输出端间的短路。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一线框架和使用该导线框架的功率集成电路封装件，其可有效降低对功率集成电路封装件进行高压隔离测试的失败率，从而提高产品通过率。

根据本发明一实施例，一用于功率集成电路封装的导线框架，其包括：外框及多个导线框架单元，其中，多个导线框架单元中的每一者具有相对的第一侧与第二侧，及相对的第三侧与第四侧。每一导线框架单元包含：第一芯片承载座；第二芯片承载座；多个输入引脚，连接于第一芯片承载座与第一侧之间；多个输出引脚，连接于第二芯片承载座与第二侧之间；以及一对支撑件，分别位于导线框架单元的第三侧与第四侧；且每一支撑件包含间隔开一安全距离的第一支撑杆和第二支撑杆。

根据本发明的另一实施例，该用于功率集成电路封装的导线框架中的第一支撑杆和第二支撑杆间隔的安全距离不小于650um。根据本发明的另一实施例，该用于功率集成电路封装的导线框架中的第一支撑杆和第二支撑杆的形状为钩状。

本发明的一实施例还提供了一功率集成电路封装件，其具有相对的第一侧与第二侧，及相对的第三侧与第四侧。该功率集成电路封装件包括：控制芯片，其经配置以设置于第一芯片承载座上；该控制芯片用于接收输入信号；功率芯片，其经配置以设置于第二芯片承载座上；该功率芯片用于发送输出信号；多个输入引脚，延伸于所述第一芯片承载座与所述第一侧之间；多个输出引脚，延伸于所述第二芯片承载座与所述第二侧之间；一对支撑件，分别位于所述第三侧与第四侧，且每一支撑件包含间隔开一安全距离的第一支撑杆和第二支撑杆；以及封装壳体，其覆盖控制芯片、功率芯片以及一对支撑件。

根据本发明的另一实施例，该功率集成电路封装件所应用的电压小于10千伏。

与现有技术相比，本发明实施例提供的导线框架和使用该导线框架的功率集成电路封装件在高压隔离测试时，能有效防止其输入端与输出端间产生电弧爬电现象，提高测试的准确率和产品良率，进而降低生产成本。

附图说明

图1是一现有功率集成电路封装件的结构示意图。

图2是根据本发明一实施例的用于功率集成电路封装的导线框架的结构示意图。

图3是根据本发明一实施例的功率集成电路封装件的结构示意图。

具体实施方式

为更好的理解本发明的精神，以下结合本发明的部分优选实施例对其作进一步说明。

图2是根据本发明一实施例的用于功率集成电路的导线框架20的结构示意图。