[发明专利]一种微电子表面防尘防垢涂层及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及化学涂层领域，尤其涉及一种微电子表面防尘防垢涂层及其制备方法。

背景技术

微电子元器件是利用微电子工艺技术实现的微型化电子系统芯片和器件，这样可以使电路和器件的性能、可靠性大幅度提高，体积和成本大幅度降低。微电子器件主要包括两个部分，即半导体集成电路和半导体器件。半导体集成电路主要包括数字集成电路、模拟集成电路和数模混合（混合信号）集成电路。半导体器件主要包括微波功率器件和其他的半导体分立器件。微电子工艺技术主要分为单片集成电路、分立半导体器件技术以及微组装和微封装的混合集成技术。

我国的军用微电子元器件经过多年的努力，尤其通过近10年的快速发展，军用集成电路实现了0.25μm-0.5μm、5英寸-6英寸的工艺水平；产品设计达到0.18μm-90nm，数千万门的能力。军用4英寸砷化镓MMIC和VSHIC科研开发的工艺线从0.5μm提高到了0.25μm；高性能信号处理器件可以兼容奔腾586CPU/ADSP21060/TMS320C6711和PowerPC603e芯片，星用抗辐射处理器（SparcV8）基于SOI工艺的1750A微处理器等开发成功，缩小了我国与国际水平之间的差距；已定型成产的386/387、486等兼容CPU,TMS320C25/3X/50和ADSP21160等兼容DSP；4M位-16M位存储器，高性能门阵列器件等，完全可以替代进口产品。8位200MSPS /D转换器、12位50MSPS A/D转化器、16位2MSPS A/D转换器、14位300MHz DDS和抗辐射器件DC/DC电源等相继研制成功，缓解了我国高新武器的急需。硅双极大功率，GaAs器件及MMIC实用化器件基本能够覆盖18GHz已下的产品，GaN和SiC宽禁带半导体微波功率器件取得了重大的突破。

微电子器件在使用过程中由于环境中存在灰尘等原因，易在器件表面产生污垢，从而影响器件的使用，减短其使用寿命。

发明内容

解决的技术问题：本发明提供了一种微电子表面防尘防垢涂层及其制备方法，通过将原料加工成水剂喷雾的方法，制备得到一种可直接喷洒在微电子产品表面，形成一层致密、紧实的防尘防垢层。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种微电子表面防尘防垢涂层，主要由以下原料按重量份数配比制成：石英砂13~42份、石油焦15~40份、木屑10~26份、氯化钠11~23份、纳米二氧化钛1~8份、磷酸三钠8~20份、磺酸钠13~30份、乙醇11~25份、水25~60份。

作为本发明的一种改进，所述微电子表面防尘防垢涂层主要由以下原料按重量份数配比制成：石英砂34份、石油焦40份、木屑22份、氯化钠18份、纳米二氧化钛6份、磷酸三钠14份、磺酸钠26份、乙醇22份、水50份。

一种微电子表面防尘防垢涂层的制备方法，包含以下步骤：

（1）将石英砂、石油焦和木屑研磨成粉，粉末粒径均为500~700目；

（2）将步骤（1）获得的粉末、氯化钠粉末、磷酸三钠粉末、磺酸钠粉末投入高温电阻炉中，辐射加热，温度维持于1100~1300℃，1~2小时；

（3）经步骤（2）高温冶炼后的粉末与纳米二氧化钛粉末按重量比2~7:1混合后加入水中，边搅拌边向其中加入乙醇，至全部溶解即可获得微电子表面防尘防垢涂层。

作为本发明的一种优选方案，步骤（1）中将石英砂、石油焦和木屑研磨成粉，粉末粒径均为600目。

作为本发明的一种优选方案，步骤（2）中将步骤（1）获得的粉末、氯化钠粉末、磷酸三钠粉末、磺酸钠粉末投入高温电阻炉中，辐射加热，温度维持于1250℃，1.5小时。

作为本发明的一种优选方案，步骤（3）中，经步骤（2）高温冶炼后的粉末与纳米二氧化钛粉末按重量比6:1混合后加入水中，边搅拌边向其中加入乙醇，至全部溶解即可获得微电子表面防尘防垢涂层。

有益效果

与现有技术相比，本发明采用以上技术方案后能够带来以下技术效果：

首先，本发明制备的微电子表面防尘防垢涂层柔性和透气性好；

其次，本发明制备的微电子表面防尘防垢涂层可以直接喷洒至产品表面，操作简便且对环境无害、无毒、易清洗；

最后，本发明制备的微电子表面防尘防垢涂层除了能够防水之外，还具有除尘、防垢效果。

具体实施方式

实施例1：