[发明专利]整流器以及使用该整流器的功率转换装置

权利要求书

1.一种整流器，该整流器将提供给输入端子的交流电压转换成第1～第3直流电压，并分别输出至第1～第3输出端子，其特征在于，包括：

第1晶体管，该第1晶体管的第1电极及第2电极分别与所述第1输出端子及所述输入端子相连；

第2晶体管，该第2晶体管的第1电极及第2电极分别与所述输入端子及所述第2输出端子相连；

第1二极管及第2二极管，该第1二极管及第2二极管分别与所述第1晶体管及所述第2晶体管反向并联连接；以及

第1双向开关，该第1双向开关连接于所述输入端子及所述第3输出端子之间，

所述第1直流电压比所述第2直流电压要高，所述第3直流电压是所述第1直流电压与所述第2直流电压的中间电压,

所述第1双向开关包含第3晶体管和第4晶体管以及第3二极管和第4二极管，

所述第1二极管、所述第2二极管、所述第3晶体管以及所述第4晶体管分别由宽带隙半导体形成，

所述第3二极管、所述第4二极管、所述第1晶体管以及所述第2晶体管分别由宽带隙半导体以外的半导体形成，

所述第1二极管及所述第2二极管各自的额定电流比所述第3二极管、所述第4二极管以及所述第1晶体管～所述第4晶体管各自的额定电流要大。

2.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述第3晶体管及所述第4晶体管的第1电极互相连接，其第2电极分别与所述输入端子及所述第3输出端子相连，

所述第3二极管及所述第4二极管分别与所述第3晶体管及所述第4晶体管反向并联连接，

在所述交流电压为正电压的情况下，所述第3晶体管导通，并且所述第1晶体管及所述第4晶体管交替导通，

在所述交流电压为负电压的情况下，所述第4晶体管导通，并且所述第2晶体管及所述第3晶体管交替导通。

3.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述第3晶体管及所述第4晶体管的第2电极互相连接，其第1电极分别与所述第3输出端子及所述输入端子相连，

所述第3二极管及所述第4二极管分别与所述第3晶体管及所述第4晶体管反向并联连接，

在所述交流电压为正电压的情况下，所述第3晶体管导通，并且所述第1晶体管及所述第4晶体管交替导通，

在所述交流电压为负电压的情况下，所述第4晶体管导通，并且所述第2晶体管及所述第3晶体管交替导通。

4.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述第3晶体管及所述第4晶体管的第2电极分别与所述输入端子及所述第3输出端子相连，

所述第3二级管及所述第4二极管的阳极分别与所述输入端子及所述第3输出端子相连，其阴极分别与所述第3晶体管及所述第4晶体管的第1电极相连，

在所述交流电压为正电压的情况下，所述第3晶体管导通，并且所述第1晶体管及所述第4晶体管交替导通，

在所述交流电压为负电压的情况下，所述第4晶体管导通，并且所述第2晶体管及所述第3晶体管交替导通。

5.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，包括半导体模块，该半导体模块包含所述第1晶体管～所述第4晶体管及所述第1二极管～所述第4二极管。

6.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，包括：第1半导体模块，该第1半导体模块包含所述第1晶体管、所述第2晶体管、所述第1二极管以及所述第2二极管；以及

第2半导体模块，该第2半导体模块包含所述第3晶体管、所述第4晶体管、所述第3二极管以及所述第4二极管。

7.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，包括：第1半导体模块，该第1半导体模块包含所述第1晶体管～所述第4晶体管；以及

第2半导体模块，该第2半导体模块包含所述第1二极管～所述第4二极管。

8.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，包括第1半导体模块～第8半导体模块，该第1半导体模块～第8半导体模块分别包含所述第1晶体管～所述第4晶体管及所述第1二极管～所述第4二极管。