[发明专利]用于边缘关键尺寸均匀性控制的工艺套件

权利要求书

1.一种环组件，包括：

外陶瓷环，所述外陶瓷环具有被暴露的顶表面和底表面；以及

内硅环，所述内硅环经配置以与所述外陶瓷环配合以限定重叠区域，所述内硅环具有：

内表面，

顶表面，以及

形成在所述内硅环的所述内表面与所述顶表面之间的槽口，所述内表面限定所述环组件的内径，所述槽口的尺寸被设置为接受基板的边缘，所述内硅环的外侧部的外侧顶表面，所述外侧顶表面经配置以在所述重叠区域中接触所述外陶瓷环的所述底表面的内侧部，并且位于所述外陶瓷环的所述底表面的内侧部下方，其中，所述内硅环的所述顶表面包含斜表面，所述斜表面从所述重叠区域径向地向内且向上成角度。

2.如权利要求1所述的环组件，进一步包括中间陶瓷环，所述中间陶瓷环位于所述内硅环的所述重叠区域下方，所述内硅环的所述重叠区域位于所述外陶瓷环的所述底表面的所述内侧部下方。

3.如权利要求1所述的环组件，其中，所述重叠区域具有大于零且小于或等于30mm的径向尺度。

4.如权利要求1所述的环组件，其中，所述外陶瓷环沿所述内硅环延伸至距所述槽口30mm。

5.如权利要求1所述的环组件，其中，所述斜表面以相对于所述内硅环的所述顶表面45度来取向。

6.一种等离子体处理腔室，包括：

腔室体；

基板支撑底座，所述基板支撑底座设置在所述腔室体中，并且具有设置在所述基板支撑底座中的阴极电极；

环组件，所述环组件设置在所述基板支撑底座上，所述环组件包括：

外陶瓷环，所述外陶瓷环具有被暴露的顶表面和底表面；以及

内硅环，所述内硅环经配置以与所述外陶瓷环配合以限定重叠区域，所述内硅环具有内表面、顶表面以及形成在所述内硅环的所述内表面与所述顶表面之间的槽口，所述内表面限定所述环组件的内径，所述槽口的尺寸被设置为接受基板的边缘，所述内硅环的所述顶表面的外侧部经配置以在所述重叠区域中接触所述外陶瓷环的所述底表面的内侧部，并位于所述外陶瓷环的所述底表面的内侧部下方，并且其中，所述重叠设置在所述阴极电极上方。

7.如权利要求6所述的等离子体处理腔室，其中，所述阴极电极延伸超出所述内硅环。

8.如权利要求6所述的等离子体处理腔室，进一步包括中间陶瓷环，所述中间陶瓷环位于所述内硅环的所述重叠区域下方，所述内硅环的所述重叠区域位于所述外陶瓷环的所述底表面的所述内侧部下方。

9.如权利要求6所述的等离子体处理腔室，其中，所述重叠区域具有在零与30mm之间的径向尺度。

10.如权利要求6所述的等离子体处理腔室，其中，所述外陶瓷环沿所述内硅环延伸至距所述槽口30mm。

11.如权利要求6所述的等离子体处理腔室，其中，所述内硅环的所述顶表面包含斜表面，所述斜表面从所述槽口径向地向外且向上成角度。

12.如权利要求11所述的等离子体处理腔室，其中，所述斜表面以相对于所述内硅环的所述顶表面45度来取向。

13.一种用于利用环组件来调谐蚀刻速率的方法，所述方法包括以下步骤：

蚀刻由所述环组件围绕的第一基板，所述环组件具有陶瓷外环和硅内环，所述陶瓷外环和所述硅内环配合以限定重叠区域；

替换所述陶瓷外环和所述硅内环中的至少一者以改变所述重叠区域；以及

在具有被改变的重叠区域的所述环组件存在的情况下，蚀刻第二基板。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述替换包括以下步骤：

增加所述重叠区域的尺度。

15.如权利要求13所述的方法，其中，所述替换包括以下步骤：

减小所述重叠区域的尺度。

16.如权利要求13所述的方法，其中，蚀刻所述第一基板包括以下步骤：

激发阴极电极以从所述陶瓷外环中驱动氧。