[发明专利]一种小尺寸高灵敏度高信噪比的MEMS硅麦克风有效
| 申请号: | 201410653764.0 | 申请日: | 2014-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN104394496B | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
| 发明(设计)人: | 缪建民;倪梁 | 申请(专利权)人: | 上海微联传感科技有限公司 |
| 主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司: | 上海浦东良风专利代理有限责任公司31113 | 代理人: | 陈志良 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 尺寸 灵敏度 高信噪 mems 麦克风 | ||
技术领域
本发明涉及一种MEMS硅麦克风的封装方法,特别是公开一种小尺寸高灵敏度高信噪比的MEMS硅麦克风,属于硅麦克风封装的技术领域。
背景技术
麦克风能把人的语音信号转化为相应的电信号,广泛应用于手机,电脑,电话机,照相机及摄像机等。传统的驻极体电容式麦克风采用特氟龙作为振动薄膜,不能承受在印刷电路板回流焊接工艺近300度的高温,从而只能与集成电路的组装分开,单独手工装配,大大增加了生产成本。
近三十年的MEMS(Microelectromechanical Systems)技术与工艺的发展,特别是基于硅芯片MEMS技术的发展,实现了许多传感器(如压力传感器,加速度计,陀螺仪等)的微型化和低成本。MEMS硅麦克风已开始产业化,在高端手机的应用上,逐渐取代传统的驻极体电容式麦克风。
MEMS麦克风主要还是采用电容式的原理,由一个振动薄膜和背极板组成,振动薄膜与背极板之间有一个几微米的间距,形成电容结构。高灵敏的振动薄膜感受到外部的音频声压信号后,改变振动薄膜与背极板间的距离,从而形成电容变化。MEMS麦克风后接CMOS放大器把电容变化转化成电压信号的变化,再放大后变成电输出。
目前现有技术中的大多数麦克风采取背进音形式的封装方式,当硅麦克风器件与PCB板贴装后,整个组件的背腔就仅限于硅麦克风器件的空腔体积,只有当此空腔体积足够大时,器件的灵敏度和信噪比才能得以提高。如果以背进音的封装方式,想提升器件的灵敏度和信噪比,就必须增大麦克风器件本身的空腔体积,这种做法与器件微型化的趋势是相矛盾的。因此我们想到使用倒装前进音的方式来封装我们的硅麦克风器件。硅麦克风倒装后,其空腔与进音孔相同,而此时的背腔是整个封装体内部空间,这将一定程度上提高整个组件的灵敏度和信噪比。由于人的语音声压信号非常微弱,灵敏度和信噪比的提高势必提升麦克风的使用效果。
发明内容
本发明的目的是克服现有麦克风封装技术中存在的不足,提供一种小尺寸高灵敏度高信噪比的MEMS硅麦克风,采用垂直式倒装前进音封装方式,直接提高了同等麦克风产品的灵敏度及信噪比,并使整个封装后的模块体积大大减小,以满足更高的电路集成化需求。
本发明是这样实现的:一种小尺寸高灵敏度高信噪比的MEMS硅麦克风,包括金属壳体盖、MEMS器件、ASIC器件和PCB板,其特征在于:所述的金属壳体盖上设有一个进音孔,所述的MEMS器件通过绝缘胶黏连在金属壳体盖的内侧,并且MEMS器件的一面带有一个空腔,所述的空腔与金属壳体盖的进音孔相对接,所述的PCB板为三层PCB板,所述的PCB板上设有一个凹槽,凹槽的容积与MEMS器件上的空腔相匹配,并置于MEMS器件的空腔的背后,所述的ASIC器件设于PCB板上凹槽的中心底部,ASIC器件的顶部与MEMS器件的振膜下方相互间留有间隙,使MEMS硅麦克风的灵敏度不受影响,形成上述MEMS硅麦克风的封装方式为垂直式倒装前进音封装方式。所述进音孔的孔径为300μm~800μm,所述PCB板上设的凹槽的直径为600μm~900μm的圆形,深度为200μm~700μm。所述的MEMS器件和ASIC器件都设有通过RDL重新布线植上的金属焊球,与PCB板上的第二金属导线、第三金属导线和第四金属导线连接,并通过第一金属导线、第五金属导线连接PCB板的底部。所述金属壳体盖与PCB板的连接面上设有导电胶形成的封闭环,将金属壳体盖与PCB板黏连,导电性能良好。
本发明的麦克风是一种微电子机械系统,所述的MEMS器件即硅麦克风器件,所述的ASIC器件采用特定用途集成电路,是用以增益硅麦克风器件所采集的电信号的。
本发明一种小尺寸高灵敏度高信噪比的MEMS硅麦克风的封装方式包括如下步骤:
(1)提供一个带进音孔的金属壳体盖;
(2)在金属壳体盖的内部,进音孔的这一面设定区域涂上硬化前较软的绝缘胶;
(3)将MEMS器件放置在金属壳体盖内的绝缘胶上,MEMS器件的空腔对准金属壳体盖的进音孔,通过加温固化绝缘胶,使MEMS器件牢固地黏连在金属壳体盖内;
(4)提供一块三层PCB板,设有一个与MEMS器件上的空腔相匹配的凹槽;
(5)在PCB板的凹槽内放置一个ASIC器件,ASIC器件上的金属焊球要与PCB板凹槽内的金属电极相连接;
(6)在PCB板周边涂上一圈由导电胶形成的封闭环;
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