[发明专利]一种提高闪存存储性能的方法和装置在审
| 申请号: | 201410641700.9 | 申请日: | 2014-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN105655245A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
| 发明(设计)人: | 魏征;冯骏 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/788 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 提高 闪存 存储 性能 方法 装置 | ||
1.一种提高闪存存储性能的方法,其特征在于,包括:
将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份;
将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中,以使所述浮栅中的离子 浓度呈现梯度分布;
使用所述浓度呈现梯度分布的离子吸附所述浮栅中充入的电子。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将待注入到闪存的 浮栅中的离子划分为多份,包括:
将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为多份。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述将待注入到闪存的 浮栅中的固定剂量和能量的离子划分为多份,包括:
将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为第一份离子和第二 份离子。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述将划分后的多份离 子分多次注入到所述浮栅中,以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布,包 括:
先将所述第一份离子注入到所述浮栅中之后,再将所述第二份离子注入 到所述浮栅中,以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将划分后的多份离 子分多次注入到所述浮栅中,以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布,包 括:
将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中,以使所述浮栅中的离子 浓度按照所述浮栅自上至下的顺序呈现由大变小的梯度分布。
6.一种提高闪存存储性能的装置,其特征在于,包括:
离子划分模块,用于将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份;
离子注入模块,用于将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中,以 使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布;
电子吸附模块,用于使用所述浓度呈现梯度分布的离子吸附所述浮栅中 充入的电子。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述离子划分模块将待 注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为多份。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述离子划分模块将待 注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为第一份离子和第二份离子。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述离子注入模块先将 所述第一份离子注入到所述浮栅中之后,再将所述第二份离子注入到所述浮 栅中,以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布。
10.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述离子注入模块将划 分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中,以使所述浮栅中的离子浓度按照 所述浮栅自上至下的顺序呈现由大变小的梯度分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





