[发明专利]一种提高闪存存储性能的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种提高闪存存储性能的方法和 装置。

背景技术

在由一层浮栅加一层控制栅所组成的闪存结构中，提高数据的存储性能 一直是一项挑战，数据的擦除性能和存储性能存在天生地矛盾，数据的擦除 性能与存储性能此消彼长。在对擦除性能有较高要求的应用中，往往由于追 求较快的擦除速度和性能，而牺牲存储数据的保持能力；相反追求较高的数 据存储能力，就会对擦除性能造成抑制。

传统提高闪存存储性能的方法是通过调整闪存结构中浮栅周边绝缘层 的厚度，比如绝缘层下放的隧穿氧化层，或者周边及上方的绝缘层，从而使 充入的电子不易从浮栅中跑掉，提高数据的存储能力。

然而这种方法存在弊端，在提高闪存存储性能的同时，擦除性能也会受 到很大的影响，严重影响擦除速度，在某些对擦除速度要求比较高的领域中 受到很大限制

因此，在很多对擦除和存储都有较高要求的领域中，需要打破这种限制， 使擦除速度和存储能力都达到较高的水准。

发明内容

本发明提供一种提高闪存存储性能的方法和装置，以解决在提高闪存存 储性能的同时，影响擦除速度的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种提高闪存存储性能的方法，包括：

将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份；

将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子 浓度呈现梯度分布；

使用所述浓度呈现梯度分布的离子吸附所述浮栅中充入的电子。

优选地，所述将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份，包括：

将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为多份。

优选地，所述将待注入到闪存的浮栅中的固定剂量和能量的离子划分为 多份，包括：

将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为第一份离子和第二 份离子。

优选地，所述将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述 浮栅中的离子浓度呈现梯度分布，包括：

先将所述第一份离子注入到所述浮栅中之后，再将所述第二份离子注入 到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布。

优选地，所述将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述 浮栅中的离子浓度呈现梯度分布，包括：

将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子 浓度按照所述浮栅自上至下的顺序呈现由大变小的梯度分布。

本发明还提供了一种提高闪存存储性能的装置，包括：

离子划分模块，用于将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份；

离子注入模块，用于将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以 使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布；

电子吸附模块，用于使用所述浓度呈现梯度分布的离子吸附所述浮栅中 充入的电子。

优选地，所述离子划分模块将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子 划分为多份。

优选地，所述离子划分模块将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子 划分为第一份离子和第二份离子。

优选地，所述离子注入模块先将所述第一份离子注入到所述浮栅中之 后，再将所述第二份离子注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈 现梯度分布。

优选地，所述离子注入模块将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅 中，以使所述浮栅中的离子浓度按照所述浮栅自上至下的顺序呈现由大变小 的梯度分布。

与现有技术相比，本发明包括以下优点：

首先，将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份，将划分后的多份离 子分多次注入到浮栅中，以使浮栅中的离子浓度呈现梯度分布，浓度呈现梯 度分布的离子使浮栅中形成固有的内电场，增加了吸附浮栅中充入的电子的 能力。

而且，没有改变浮栅周边绝缘层的厚度，对闪存的擦除性能没有造成影 响。

附图说明

图1是本发明实施例中的闪存的浮栅中离子分布示意图；

图2是本发明实施例一中的一种提高闪存存储性能的方法流程图；

图3是本发明实施例二中的一种提高闪存存储性能的方法流程图；

图4是本发明实施例二中的向浮栅中分布注入离子的示意图；