[发明专利]一种提高反应室使用效率的方法有效
申请号: | 201410449044.2 | 申请日: | 2014-09-04 |
公开(公告)号: | CN105470102B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 刘欣欣;张波 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 反应 使用 效率 方法 | ||
本发明涉及集成电路制造领域,具体涉及一种提高反应室使用效率的方法,在进行一道生产工艺前,通过生产工艺控制系统得到进行上述生产工艺的机台上可用反应室数量,并于该生产工艺控制系统中设定参与上述生产工艺的最小反应室的数量,继续将上述的数据信息传输至机台自动化系统,而该机台自动化系统继续利用上述可用反应室的属性信息选择符合最小反应室数量的空闲的可用反应室,继续均衡上述空闲的可用反应室将要处理晶圆的数量后,于该空闲的可用反应室中进行生产工艺,从而减少了晶圆等待处理的时间,有效提高了反应室的使用效率。
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域,具体涉及一种提高反应室使用效率的方法。
背景技术
在集成电路生产中,主要由晶圆机台来生产晶圆,即一批晶圆要进入一晶圆机台的反应室中进行处理;而每个晶圆机台可能拥有若干个反应室,而同一个晶圆机台的不同反应室针对同一种生产工艺(RECIPE)的处理方式可能是一样的,若处理方式相同,则晶圆可以进入这个机台的任何一个反应室进行处理。
在实际生产中,具体的生产工艺可以在哪个反应室进行处理是由制程工程师在生产工艺控制系统(Recipe Control Program简称,RCP)中进行配置的,针对一个生产工艺需要配置多个反应室。当一晶圆要到机台进行处理时,它所进入的反应室可能正在处理其他晶圆,所以这个晶圆就要等待后处理,这样就不仅加长了晶圆的处理时间,还会使晶圆机台有的反应室比较空闲而有的反应室比较忙碌,降低了有些反应室的使用效率,所以需要有一种方法可以提高晶圆机台每个反应室的使用效率,使机台的每个反应室都可以得到充分的利用,也可以减少晶圆等待处理的时间,从而可以提高生产效率减少晶圆生产时间。
发明内容
本发明公开了一种提高反应室使用效率的方法,在进行一道生产工艺前,通过生产工艺控制系统得到进行上述生产工艺的机台上可用反应室数量,并于该生产工艺控制系统中设定参与上述生产工艺的最小反应室的数量,继续将上述的数据信息传输至机台自动化系统,而该机台自动化系统继续利用上述可用反应室的属性信息选择符合最小反应室数量的空闲的可用反应室,继续均衡上述的空闲的可用反应室将要处理晶圆的数量后,于该空闲的可用反应室中进行生产工艺,从而减少了晶圆等待处理的时间,有效提高了反应室的使用效率。
本发明记载了一种提高反应室使用效率的方法,应用于设置有若干反应室的晶圆机台上,其中,所述方法包括:
步骤S1:在进行一道生产工艺前,于生产工艺控制系统中,根据该道生产工艺的条件和每个反应室的参数数据设置所述晶圆机台上可用于进行所述生产工艺的反应室,并根据工艺需求设定参与所述生产工艺的最小反应室数量;
步骤S2:当若干个晶圆进入一所述晶圆机台进行所述生产工艺时,机台自动化系统根据生产工艺控制系统中设置的可用于进行所述生产工艺的反应室,得出可用反应室的属性信息,并获取该晶圆机台上可用反应室数量和所述最小反应室数量;
步骤S3:所述机台自动化系统将当前晶圆机台上可用反应室数量与所述最小反应室数量进行比对;
若当前晶圆机台上可用反应室数量大于所述最小反应室数量时,所述机台自动化系统根据所述可用反应室的属性信息,在当前晶圆机台上选择空闲的可用反应室进行所述生产工艺;
否则,所述机台自动化系统根据所述可用反应室的属性信息,在当前晶圆机台上选择所有的可用反应室进行所述生产工艺;
其中,所述空闲的可用反应室的数量与所述最小反应室数量相等。
上述的提高反应室使用效率的方法,其中,所述生产工艺控制系统与机台自动化系统双向通讯连接,所述机台自动化系统与所述晶圆机台双向通讯连接;
其中,所述机台自动化系统实时接收所述晶圆机台上所有反应室的属性信息,并对其中的可用反应室的属性信息进行处理后,以在当前晶圆机台上选择空闲的可用反应室进行所述生产工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410449044.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于双图案的半导体器件及其制造方法、电子装置
- 下一篇:等离子真空泵
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造