[发明专利]一种提高钴阻挡层沉积选择比的方法

权利要求书

1.一种提高钴阻挡层沉积选择比的方法，用于集成电路后段工艺中铜扩散阻挡层的制作，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：提供一晶圆，所述晶圆表面具有多孔low k介质层，所述多孔low k介质层布有铜互连线，并经过平坦化处理；

步骤二：采用直接光CVD工艺，在所述多孔low k介质层表层的孔隙中选择性沉积一层二氧化硅，即在多孔low k介质层表层的孔隙内填充了二氧化硅，形成致密化的所述多孔low k介质层的表层；其中，在沉积过程中，首先通入SiH₄气体，SiH₄分子得以进入多孔low k介质层的孔隙，并被吸附在多孔low k介质层的表层，然后通入N₂O气体，同时，打开低压汞灯，使N₂O解离，并氧化SiH₄，从而形成二氧化硅；

步骤三：对所述晶圆表面进行清洗；

步骤四：采用CVD工艺在所述多孔low k介质层上选择性沉积钴阻挡层，以在所述铜互连线上形成铜扩散阻挡层。

2.根据权利要求1所述的提高钴阻挡层沉积选择比的方法，其特征在于，步骤二中，在进行所述直接光CVD工艺时，所述多孔low k介质层的温度为200～400℃。

3.根据权利要求1所述的提高钴阻挡层沉积选择比的方法，其特征在于，步骤二中，在进行所述直接光CVD工艺时，紫外光的波长为175～195nm。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的提高钴阻挡层沉积选择比的方法，其特征在于，步骤二中，进行所述直接光CVD工艺的次数为1至多次。

5.根据权利要求4所述的提高钴阻挡层沉积选择比的方法，其特征在于，步骤二中，进行所述直接光CVD工艺的次数为1至3次。

6.根据权利要求5所述的提高钴阻挡层沉积选择比的方法，其特征在于，步骤二中，进行所述直接光CVD工艺的次数为2次。

7.根据权利要求1所述的提高钴阻挡层沉积选择比的方法，其特征在于，步骤四中，采用CVD工艺沉积钴阻挡层时，将所述多孔low k介质层的温度保持在不低于250℃。