[发明专利]一种提高设施利用率的石斛栽培方法

权利要求书

1.一种提高设施利用率的石斛栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)建架空栽培床作石斛的生产栽培，利用架空栽培床下地面作为假植苗床进行石斛组培苗的假植炼苗；

(2)栽培基质主要原料的发酵处理：

将松树皮、枫树锯木屑、干牛粪按体积比为4～5︰4～5︰0.5～1混合进行发酵处理；

(3)栽培基质的配制、装填栽培床与育苗穴盘装盘：

先将步骤(2)发酵处理后的栽培基质主要原料用多菌灵或甲基托布津药液喷洒处理，珍珠岩用清水浸泡后沥干明水，再将栽培基质主要原料与珍珠岩按体积比3～4︰1均匀混合，然后装填到架空栽培床中与装入育苗穴盘的孔穴中；

(4)定植经假植炼苗后的石斛穴盘苗到架空栽培床中进行定植后的管理；

(5)选择适龄石斛组培苗进行室内炼苗适应，然后假植到育苗穴盘中摆放到假植苗床上进行假植后的管理。

2.根据权利要求1所述的一种提高设施利用率的石斛栽培方法，其特征在于，步骤(1)所述的架空栽培床是架空高度为60～80厘米，宽度为1.2～1.5米，床中可装填8～10厘米厚基质的栽培床。

3.根据权利要求1所述的一种提高设施利用率的石斛栽培方法，其特征在于，松树皮的颗粒大小为0.5～1.2厘米。

4.根据权利要求1或3所述的一种提高设施利用率的石斛栽培方法，其特征在于，步骤(2)的发酵处理具体为：松树皮先用清水浸泡1天，然后按比例与枫树锯木屑和干牛粪混合均匀，调节含水量至65％～70％，堆成堆用塑料薄膜覆盖进行发酵，发酵期2～3个月，发酵期间需翻堆5～6次，每隔10～15天揭开薄膜翻堆1次，发酵完成后将基质摊开晒干备用。

5.根据权利要求1所述的一种提高设施利用率的石斛栽培方法，其特征在于，步骤(3)是先将发酵处理后的栽培基质主要原料用800～1000倍多菌灵或甲基托布津药液喷洒拌匀到含水量为60％～65％，堆起来用塑料薄膜覆盖3～5天，珍珠岩用清水浸泡1～2天后沥干明水，再将栽培基质主要原料与珍珠岩按体积比3～4︰1均匀混合，然后装填到架空栽培床中，基质装填厚度为8～10厘米，或将基质装入50孔或32孔育苗穴盘的孔穴中。

6.根据权利要求1所述的一种提高设施利用率的石斛栽培方法，其特征在于，步骤(5)所述的适龄石斛组培苗的标准为：每丛有3～5株，每株有根3～5条、根长2～3厘米，每株有叶4～6片、茎粗0.3厘米以上、高4～7厘米。

7.根据权利要求1或6所述的一种提高设施利用率的石斛栽培方法，其特征在于，步骤(5)所述的室内炼苗适应是：将适龄组培苗从组培室移至大棚或温室内进行常温炼苗适应，温度控制在15℃～28℃，相对湿度50％～80％，1周内遮光70％，即棚顶全覆盖遮荫度为70％的遮阳网，1周后通过减少棚顶覆盖遮阳网的面积大小调节至棚内遮光50％～60％，保持棚内通风透气，让组培苗从封闭稳定的环境向开放变化的环境过渡，炼苗时间为2～4周，以石斛组培苗的叶色翠绿或浓绿、茎段肥厚粗壮且茎干稍硬化时为宜；组培苗出瓶前2～3天将瓶口逐渐敞开，即先只拧松瓶盖，敞开程度逐渐加大，最后1天将瓶盖全部揭开；出瓶时将组培苗从瓶中取出，用清水洗净粘附在根上的培养基，沥干水后用1000倍多菌灵或甲基托布津浸泡整株小苗10分钟，然后在阴凉通风处晾根半天至根部发白后待假植。

8.根据权利要求1所述的一种提高设施利用率的石斛栽培方法，其特征在于，步骤(4)所述定植和步骤(5)所述假植的适宜时期为3月中旬～5月底或9月中旬～10月中旬。