[发明专利]一种提高真空侧功率容量的高功率微波介质窗

权利要求书

1.一种提高真空侧功率容量的高功率微波介质窗，其特征在于：所述高功率微波介质窗的表面是由若干个曲面周期性结构单元构成的表面。

2.如权利要求1所述的高功率微波介质窗，其特征在于，所述高功率微波介质窗的表面是三维周期性函数表面。

3.如权利要求2所述的高功率微波介质窗，其特征在于，所述三维周期性函数表面是三维周期性正弦函数表面，所述三维周期性正弦函数的包络幅度是按下式计算的：

z＝-c|sin(kxx)sin(k_yy)|

其中，c为三维周期正弦结构的深度，x、y、z为三维周期结构口表面上点的横坐标、纵坐标、竖坐标，k_x表示三维周期结构口表面x轴方向的波数，k_x＝2π/λ_x；k_y表示三维周期结构口表面y轴方向的波数，k_y＝2π/λ_y，λ_x和λ_y为正弦曲面口面x轴方向和y轴方向的周期尺寸宽度。

4.如权利要求2所述的高功率微波介质窗，其特征在于，所述三维周期性函数表面是三维周期性余弦函数表面，所述三维周期性余弦函数的包络幅度是按下式计算的：

(x-(m+1)λx2)2+(y-nλx2)2=(λx2πarccos2zc-λx2)2,(m,n∈Z)]]>

其中，m和n确定单元函数包络中心的位置，c为三维周期正弦结构的深度，x、y、z为三维周期结构口表面上点的横坐标、纵坐标、竖坐标，λ_x为旋转余弦曲面口面的特征宽度。