[发明专利]一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种功率MOSFET驱动芯片抗干扰技术，尤其是涉及一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路。

背景技术

功率MOSFET芯片常用于开关电源，随着功率MOSFET技术的发展，其重复频率极已经达到100kHz，耐受电压达到10KV，在如此高电压、高重复频率下，功率MOSFET将产生高频高压噪声，对其驱动芯片产生严重的电磁干扰。系统级的电磁干扰抑制可以从三个方面着手，一是减小电磁干扰源发出的电磁干扰，二是切断电磁干扰的传播途径，三是提高敏感设备的抗电磁干扰能力。对于开关驱动电路的电磁干扰抑制，由于其电磁干扰源主要为开关MOSFET，通常采用滤波技术，在电源线上加装滤波器从而切断电磁干扰的传播路径，对电源线的电磁干扰加以抑制。电源线滤波器的设计，可以采用由扼流圈与电容组成的单级或多级共模、差模无源滤波电路，也可以采用有源共模滤波器，对差模与共模噪声加以抑制。此外，开关电源的噪声不仅对驱动芯片的电源线产生电磁干扰，也会对驱动芯片的输入信号线、输出信号线产生电磁干扰，因此开关MOSFET驱动芯片的全方位电磁干扰抑制电路对保证开关电源的正常工作至关重要。然而，如何对开关MOSFET驱动芯片的电源线、输入信号线、输出信号线进行全方位的电磁干扰抑制却少有研究。

发明内容

本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，对输入信号线上的噪声、输出信号线上的噪声与电源线上的噪声全面进行抑制，减小电磁噪声对功率MOSFET驱动芯片的影响，提高功率MOSFET驱动芯片全方位的抗电磁干扰能力。

本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：

一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，该电路分别与MOSFET驱动芯片和驱动电压源连接，其特征在于，所述的电磁干扰抑制电路包括输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块，分别对输入信号线的高频噪声、输出信号线的高频噪声与电源线的噪声加以抑制，提高功率MOSFET驱动芯片的抗电磁干扰能力。

所述的输入信号线噪声抑制模块包括第一共模扼流圈、差模电容C1和电阻R1，所述的第一共模扼流圈一端与输入信号线连接，另一端依次并联差模电容C1和电阻R1后分别与MOSFET驱动芯片的输入端和地线端连接，用于抑制输入信号线上的共模噪声与差模噪声。

所述的输出信号线的高频噪声包括第二共模扼流圈和差模电容C2，所述的第二共模扼流圈一端与信号输出线连接，另一端并联差模电容C2后分别与MOSFET驱动芯片的输出端和地线端连接，用于抑制输出信号线上的共模噪声与差模噪声。

所述的电源线噪声抑制模块包括第三共模扼流圈、高频电容C3和低频电容C4，所述的第三共模扼流圈一端与驱动电压源连接，另一端依次并联高频电容C3和低频电容C4后分别与MOSFET驱动芯片的电源端和地线端连接，用于抑制电源线上的噪声。

所述的输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块共同构成了MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，对MOSFET驱动芯片进行全方位的电磁干扰保护。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

有效解决开关电源系统中开关MOSFET驱动电路的电磁干扰问题，减小高压高重频开关电源对开关MOSFET驱动电路所产生的电磁干扰，避免引发驱动芯片的误动作；通过采用滤波技术有效切断噪声的传播路径，在开关MOSFET驱动芯片的输入信号线、输出信号线与电源线上全面使用共模扼流线圈与差模电容，可以对输入信号线、输出信号线与电源线上的差模噪声与共模噪声全面加以抑制。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。

实施例

如图1所示，为本发明所涉及的功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，包括输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块。

所述输入信号线噪声抑制模块由共模扼流圈、差模电容C1与电阻R1并联构成滤波器，具体实施实例中C1＝500pF，R1＝500Ω。输入信号线噪声抑制模块的一端与输入信号线相接，另一端与地线相接，可以抑制输入信号线上的共模噪声与差模噪声。