[发明专利]一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路

权利要求书

1.一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，该电路分别与MOSFET驱动芯片和驱动电压源连接，其特征在于，所述的电磁干扰抑制电路包括输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块，分别对输入信号线的高频噪声、输出信号线的高频噪声与电源线的噪声加以抑制，提高功率MOSFET驱动芯片的抗电磁干扰能力。

2.根据权利要求1所述的一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，其特征在于，所述的输入信号线噪声抑制模块包括第一共模扼流圈、差模电容C1和电阻R1，所述的第一共模扼流圈一端与输入信号线连接，另一端依次并联差模电容C1和电阻R1后分别与MOSFET驱动芯片的输入端和地线端连接，用于抑制输入信号线上的共模噪声与差模噪声。

3.根据权利要求1所述的一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，其特征在于，所述的输出信号线的高频噪声包括第二共模扼流圈和差模电容C2，所述的第二共模扼流圈一端与信号输出线连接，另一端并联差模电容C2后分别与MOSFET驱动芯片的输出端和地线端连接，用于抑制输出信号线上的共模噪声与差模噪声。

4.根据权利要求1所述的一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，其特征在于，所述的电源线噪声抑制模块包括第三共模扼流圈、高频电容C3和低频电容C4，所述的第三共模扼流圈一端与驱动电压源连接，另一端依次并联高频电容C3和低频电容C4后分别与MOSFET驱动芯片的电源端和地线端连接，用于抑制电源线上的噪声。

5.根据权利要求2、3或4所述的一种功率MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，其特征在于，所述的输入信号线噪声抑制模块、输出信号线噪声抑制模块与电源线噪声抑制模块共同构成了MOSFET驱动芯片的电磁干扰抑制电路，对MOSFET驱动芯片进行全方位的电磁干扰保护。