[发明专利]功率晶体管布置以及具有该布置的封装体

权利要求书

1.一种功率晶体管布置，包括：

载体，至少包括主区域以及第一端子区域和第二端子区域，所述主区域、所述第一端子区域和所述第二端子区域相互电隔离；

第一功率晶体管，具有控制电极以及第一功率电极和第二功率电极，所述第一功率晶体管被布置于所述载体的所述主区域上，使得所述第一功率晶体管的所述第一功率电极面朝所述载体的所述主区域并且电耦合至所述载体的所述主区域；

第二功率晶体管，具有控制电极以及第一功率电极和第二功率电极，

所述第二功率晶体管被布置于所述第一端子区域和所述第二端子区域上，使得所述第二功率晶体管的所述控制电极和所述第二功率晶体管的所述第一功率电极面朝所述载体的所述端子区域，

其中所述第二功率晶体管的所述控制电极电耦合至所述载体的所述第一端子区域，并且其中所述第二功率晶体管的所述第一功率电极电耦合至所述载体的所述第二端子区域。

2.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，

其中所述载体的所述主区域具有至少10mm²的尺寸。

3.根据权利要求2所述的功率晶体管布置，

其中所述载体的所述主区域具有小于或者等于300mm²的尺寸。

4.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，

所述载体的所述第一端子区域和所述第二端子区域中的至少一个端子区域具有小于或者等于1mm²的尺寸。

5.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，

其中所述第二功率晶体管是低压金属氧化物半导体场效应晶体管。

6.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，

其中所述第一功率晶体管被布置于所述载体的所述主区域上，使得所述第一功率晶体管的所述控制电极背离所述载体的所述主区域。

7.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，

其中所述第一功率晶体管的所述控制电极电耦合至所述第一端子区域和所述第二端子区域之一。

8.根据权利要求7所述的功率晶体管布置，

其中所述第一功率晶体管的所述控制电极借由接线电耦合至所述第一端子区域和所述第二端子区域之一。

9.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，

其中所述第一功率晶体管是高电子迁移率晶体管。

10.根据权利要求9所述的功率晶体管布置，

其中所述高电子迁移率晶体管是氮化镓高电子迁移率晶体管、碳化硅高电子迁移率晶体管和高压硅高电子迁移率晶体管之一。

11.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，

其中所述第一功率晶体管的所述第二功率电极与所述第二功率晶体管的所述第二功率电极相互电耦合。

12.根据权利要求11所述的功率晶体管布置，

其中所述第一功率晶体管的所述第二功率电极与所述第二功率晶体管的所述第二功率电极借由导电耦合结构而相互电耦合。

13.根据权利要求12所述的功率晶体管布置，

其中所述耦合结构包括金属和金属合金中的至少一个。

14.根据权利要求12所述的功率晶体管布置，

其中所述耦合结构包括选自由以下项构成的结构组的至少一个结构：

夹具；

带；

接线；

板；以及

导体迹线。

15.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，

其中所述载体是引线框架结构；

其中所述主区域是引线框架；

其中所述第一端子区域是所述引线框架结构的第一引线；并且

其中所述第二端子区域是所述引线框架结构的第二引线。

16.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，

其中所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管按共源共栅电路布置进行连接。

17.根据权利要求1所述的功率晶体管布置，

其中所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管按半桥电路布置进行连接。