[发明专利]一种功率集成器件在审
| 申请号： | 201410037695.0 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104810350A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郑玉宁;陈建国;张枫 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 集成 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率集成器件，包括衬底，以及形成在所述衬底上的半导体层图案和金属层图案，在所述半导体层图案和金属层图案之间形成有介质层，其特征在于，所述介质层包括抗可动离子绝缘层。
2.根据权利要求1所述的功率集成器件，其特征在于，所述抗可动离子绝缘层的材料选择氮化硅。
3.根据权利要求2所述的功率集成器件，其特征在于，所述抗可动离子绝缘层的厚度为1000-3000埃。
4.根据权利要求1所述的功率集成器件，其特征在于，所述介质层还包括形成在所述半导体层图案和抗可动离子绝缘层之间的缓冲层，用于改善抗可动离子绝缘层与半导体层之间的应力。
5.根据权利要求4所述的功率集成器件，其特征在于，所述缓冲层的材料选择二氧化硅。
6.根据权利要求5所述的功率集成器件，其特征在于，所述缓冲层的厚度为500-3500埃。
7.根据权利要求1所述的功率集成器件，其特征在于，所述金属层图案位于所述半导体层图案的上方；
所述介质层还包括形成在所述抗可动离子绝缘层和金属层之间的过渡层，用于提高金属层的均匀性。
8.根据权利要求7所述的功率集成器件，其特征在于，所述过渡层的材料选择硼磷硅玻璃。
9.根据权利要求8所述的功率集成器件，其特征在于，所述过渡层的厚度为4000-15000埃。
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