[实用新型]提高光伏电池组件功率的焊带有效
申请号: | 201320071240.1 | 申请日: | 2013-02-07 |
公开(公告)号: | CN203085561U | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 钱海鹏 | 申请(专利权)人: | 凡登(常州)新型金属材料技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213241 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 电池 组件 功率 | ||
技术领域
本实用新型属于光伏焊带加工技术领域,特别涉及提高光伏电池组件功率的焊带。
背景技术
随着世界经济的快速发展,能源消耗越来越大,世界各国都需求新能源的应用和普及。由于二氧化碳排放导致的温室气体效应致使全球气候变暖并引发自然灾害,世界各国对清洁的可再生能源的需求尤其强烈。在美国2007年次贷危机导致的全球危机蔓延和扩大以来,为刺激经济增长,各国都通过了更积极的鼓励使用可再生能源的措施。美国奥巴马政府提出在未来10年投资1500亿美元用于清洁能源;欧盟设定目标在2020年将可再生能源占使用能源的比例提高到20%;日本提出在2030年使70%以上的新建住宅安装太阳能电池板(约70GW)。为缓解光电产品国内需求不足,2009年3月26日,中国财政部宣布将推动实施“太阳能屋顶计划”示范工程。财政部、住房和城乡建设部联合出台的《关于加快推进太阳能光电建筑应用的实施意见》中明确提出,实施“太阳能屋顶计划”,对光电建筑应用示范工程予以资金补助、鼓励技术进步与科技创新、鼓励地方政府出台相关财政扶持政策、加强建设领域政策扶持等一系列原则措施。现阶段在经济发达、产业基础较好的大中城市积极推进太阳能屋顶、光伏幕墙等光电建筑一体化示范;积极支持在农村与偏远地区发展离网式发电,实施送电下乡等有关规定,更是给太阳能技术的应用指明了方向。以太阳能屋顶、光伏幕墙等光电建筑一体化为突破口,可能在短期内让人们看到应用太阳能的诸多好处,也有利于今后大面积推广,激发产业资本投资太阳能领域的积极性。各国的新能源政策或许将成为下一个影响我们此后15年世界发展的重要政策之一。2009年的哥本哈根气候会议再次唤醒、强化了人们关注清洁能源的意识。伴随新能源的应用和普及,光伏行业的迅猛增长势头得到进一步的加强和重视。
焊带是光伏组件焊接过程中的重要原材料,焊带质量的好坏将直接影响到光伏组件电流的收集效率,对光伏组件的功率影响很大。
现在市场上的光伏焊带大多是通过铜基材通过热浸锡工艺方式制备而成的,这种焊带,如专利公开号CN102747313A就介绍了一种通过铜带表面热浸锡工艺的方式制备的焊带;公开号为CN101488536专利公开了一种太阳能光伏组件汇流带及其组装太阳能板的方法,使用的也是铜带热浸锡工艺制备的焊带。热浸锡工艺制备的焊带,锡层厚度容易不均匀,产生锡瘤、铜屑和变色等问题,焊接时容易产生针孔和沉锡现象,可焊性不良。
此外也有小部分焊带产品是采用铜基材电镀锡的方式制备而成的,如专利公开号CN102254978A就介绍一电镀锡制备的光伏焊带,这种电镀工艺制备的焊带锡层均匀,避免了热浸锡焊带存在的一些问题,但其表面平整,没有增加光泽度和特殊的表面图案,不能实现电池板的最大功率。
专利公开号CN102790132A介绍了一种图案化焊带的装置、应用其串接的方法和用其所制备的太阳能板,这种方式制备的焊带表面经过图案化后,可以有效的降低阳光由于反射的损失,增加了制备电池板的功率,但其是在锡层形成后连接在电池片上进行图案化,这会破坏锡层并会造成电池片的隐裂和破碎。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了克服焊带的反射增加了太阳光的损失,影响光伏电池组件的发电功率,或者现有焊带能降低太阳光的反射损失,但焊带的锡层易被破坏,甚至电池片会隐裂或破碎的不足,本实用新型提供提高光伏电池组件功率的焊带,基带的表面带有特殊结构的花纹,然后电镀有锡或锡合金层。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:提高光伏电池组件功率的焊带,包括导电基带,所述基带为金属或合金材料,所述导电基带具有两个宽面,其中至少一宽面具有花纹,所述花纹带有可提高经焊带反射的太阳光在光伏电池组件的玻璃与空气界面层发生全反射比例的凹陷结构,所述导电基带表面电镀有焊料层。所述宽面是指与焊带厚度方向的两侧面相对的两个焊带表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的