[发明专利]一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法无效
申请号: | 201310548867.6 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN103606525A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 张鹏;栾冬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学(威海) |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C23C22/68 |
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地址: | 264209*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 金丝 铜箔 连接 质量 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及材料加工技术领域中金属间的连接质量控制,尤其涉及一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法。
背景技术
随着电子IT业的迅速发展,在以集成电路为代表微电子焊接技术中,超精细金属丝连接集成芯片的连接质量会显著影响器件的可靠性。据统计,由于接触不良而造成的失效占总失效率的33%以上。同时,基板引线密度需求提高,基板向短、轻、薄、高精细度、多引线、小节距的方向发展,铜箔较目前的基板材料具有高电阻率、高导热率、低成本等优点而具备广泛的应用潜力,但金丝与铜箔连接存在以下两个问题:第一,由于铜箔在空气中极易氧化,其表面形态以及杂质不仅影响微电子电路的接触连接,也影响连接后金丝球径大小与抗剪切强度;第二,金与铜的原予扩散嵌合性能并不理想,导致难以有效连接或连接质量欠佳。因此,需要采用合适的处理方法以保证其连接质量。目前,有色金属表面氧化层的去除主要有化学法,机械磨削法和电化学法,其中化学法中采用盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸等溶液进行酸洗,由于效率高而被广泛使用,但这些酸的腐蚀性很强,极易出现过酸洗和欠酸洗的现象,而且并不能提高金与铜界面扩散性能。
发明内容
为了解决金丝与铜箔的连接质量问题,本发明的目的在于提供一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法,即去除铜箔表面氧化层与改善金铜界面扩散性能的一体化方法,具有操作简便、效率高、适合于推广应用的特点。
本发明解决上述问题所采用的技术方案是:一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法,其特征是:将铜箔片待连接表面用质量浓度为5%-30%的酸溶液进行清洗3-5分钟;而后加入质量浓度为10%-30%的稀土盐溶液,搅拌6-9分钟;再加入质量浓度为5%-20%的双氧水溶液,静置4-6分钟;取出铜箔片用超纯水冲洗吹干后在50-200℃温度范围内与金丝连接。
本发明中的铜箔材料可以是纯铜或铜合金。
本发明中的铜箔可以是压延铜箔、电解铜箔或覆铜箔。
本发明中的酸溶液可以是盐酸、硝酸、硫酸或氢氟酸。
本发明中的稀土盐溶液可以是铈盐溶液或镧盐溶液。
本发明中的搅拌方式可以是机械搅拌、磁力搅拌或超声波搅拌方式。
本发明处理工艺简单,设备要求低,过程高效可控,铜箔表面稀土膜均匀,覆盖良好,有效防止了铜箔连接过程中表面氧化,提高了连接成品率和连接件质量。特别适合于金丝与与铜箔的连接,也适合于金与铜的异种部件互连。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
将铜箔片待连接表面用质量浓度为5%的盐酸溶液进行清洗5分钟;而后加入质量浓度为30%的氯化铈溶液,搅拌9分钟;再加入质量浓度为20%的双氧水溶液,静置6分钟;取出铜箔片用超纯水冲洗吹干后在50℃温度范围内与金丝连接。
本实施例测试结果为:连接区直径为86μm,连接件剪切测试强度为54.08MPa。
实施例2
将铜箔片待连接表面用质量浓度为15%的盐酸溶液进行清洗4分钟;而后加入质量浓度为20%的氯化铈溶液,搅拌7分钟;再加入质量浓度为15%的双氧水溶液,静置5分钟;取出铜箔片用超纯水冲洗吹干后在100℃温度范围内与金丝连接。
本实施例测试结果为:连接区直径为100μm,连接件剪切测试强度为38.64MPa。
实施例3
将铜箔片待连接表面用质量浓度为30%的盐酸溶液进行清洗3分钟;而后加入质量浓度为10%的氯化铈溶液,搅拌6分钟;再加入质量浓度为10%的双氧水溶液,静置4分钟;取出铜箔片用超纯水冲洗吹干后在200℃温度范围内与金丝连接。
本实施例测试结果为:连接区直径为98μm,连接件剪切测试强度为43.68MPa。
实施例4
将铜箔片待连接表面用质量浓度为10%的硫酸溶液进行清洗5分钟;而后加入质量浓度为30%的硫酸铈溶液,搅拌9分钟;再加入质量浓度为5%的双氧水溶液,静置6分钟;取出铜箔片用超纯水冲洗吹干后在50℃温度范围内与金丝连接。
本实施例测试结果为:连接区直径为96μm,连接件剪切测试强度为36.21MPa。
实施例5
将铜箔片待连接表面用质量浓度为20%的硫酸溶液进行清洗4分钟:而后加入质量浓度为25%的硫酸铈溶液,搅拌7分钟;再加入质量浓度为20%的双氧水溶液,静置5分钟;取出铜箔片用超纯水冲洗吹干后在100℃温度范围内与金丝连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造