[发明专利]一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法无效
申请号: | 201310548867.6 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN103606525A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 张鹏;栾冬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学(威海) |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C23C22/68 |
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地址: | 264209*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 金丝 铜箔 连接 质量 处理 方法 | ||
1.一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法,其特征在于:将铜箔片待连接表面用质量浓度为5%-30%的酸溶液进行清洗3-5分钟;而后加入质量浓度为10%-30%的稀土盐溶液,搅拌6-9分钟;再加入质量浓度为5%-20%的双氧水溶液,静置4-6分钟;取出铜箔片用超纯水冲洗吹干后在50-200℃温度范围内与金丝连接。
2.根据权利要求1所述的一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法,其特征在于,所述铜箔材料为纯铜或铜合金。
3.根据权利要求1所述的一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法,其特征在于,所述铜箔为压延铜箔、电解铜箔或覆铜箔。
4.根据权利要求1所述的一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法,其特征在于,所述酸溶液可以是盐酸、硝酸、硫酸或氢氟酸。
5.根据权利要求1所述的一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法,其特征在于,所述稀土盐溶液可以是铈盐溶液或镧盐溶液。
6.根据权利要求1所述的一种提高金丝与铜箔连接质量的处理方法,其特征在于,所述搅拌方式可以是机械搅拌、磁力搅拌或超声波搅拌方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造