[发明专利]功率半导体模块

说明书

技术领域

本发明涉及一种功率半导体模块。

背景技术

在由现有技术公知的功率半导体模块中，通常在基底上布置有功率半导体结构元件，例如像功率半导体开关和二极管，并且借助于基底的导体层、接合线和/或薄膜复合结构彼此导电连接。在此，功率半导体开关通常以晶体管的形式，例如像IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)或者MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)或者晶闸管的形式存在。

在此，布置在基底上的功率半导体结构元件通常与一个或多个所谓的半桥电路电连接，这些半桥电路通常用于对电压和电流进行整流和逆变。基底一般直接或间接地与冷却体相连。

由DE 103 55 925 A1公知了一种功率半导体模块，其中，功率半导体结构元件借助于薄膜复合结构彼此电连接。

在功率半导体模块的功率半导体结构元件相互之间以及功率半导体结构元件与负载电流接头元件之间的承载负载电流的电连接具有寄生电感，其在功率半导体模块运行时可能导致功率半导体结构元件上的过压。为了使过压最小化，值得期待的是功率半导体模块具有感应特别低的结构。

发明内容

本发明的任务在于，提供了一种功率半导体模块，其具有感应特别低的结构。

该任务通过如下功率半导体模块来解决，该功率半导体模块具有基底，其中，基底具有绝缘材料体和布置在绝缘材料体上的、导电的、结构化的线路层，该线路层构造出彼此电绝缘地布置的导体轨迹，其中，在第一导体轨迹上布置有第一功率半导体结构元件，该第一功率半导体结构元件具有第一和第二负载电流接头，并且该第一功率半导体结构元件的第一负载电流接头与第一导体轨迹导电连接，其中，在第二导体轨迹上布置有第二功率半导体结构元件，该第二功率半导体结构元件具有第一和第二负载电流接头，并且该第二功率半导体结构元件的第一负载电流接头与第二导体轨迹导电连接，其中，该功率半导体模块具有第一和第二直流电压负载电流接头元件，其中，第一和第二功率半导体结构元件沿基底的横向的第一方向布置，并且第一和第二直流电压负载电流接头元件相继布置，其中，该功率半导体模块具有薄膜复合结构，该薄膜复合结构具有第一金属薄膜层和结构化的第二金属薄膜层以及布置在第一与第二金属薄膜层之间的电绝缘薄膜层，其中，第一功率半导体结构元件的第二负载电流接头与第二金属薄膜层导电连接，并且该第二金属薄膜层与第二导体轨迹导电连接，其中，第二功率半导体结构元件的第二负载电流接头与第一金属薄膜层导电连接，其中，第一直流电压负载电流接头元件与第一导体轨迹导电连接，并且第二直流电压负载电流接头元件与第一金属薄膜层导电连接，其中，第一和第二功率半导体结构元件关于第一和第二直流电压负载电流接头元件布置在共同的侧上。

本发明具有有利构造方案。

已证明有利的是，第一和第二直流电压负载电流接头元件沿基底的横向的第一方向布置，并且第一和第二直流电压负载电流接头元件沿基底的第一方向相继布置，其中，该第一和第二功率半导体结构元件沿基底的第一方向关于第一和第二直流电压负载电流接头元件布置在共同的侧上。由此，可以实现使功率半导体模块的感应特别低。

已证明有利的是，第一和第二功率半导体结构元件构造为功率半导体开关，因为这是第一和第二功率半导体结构元件的常见构造。

此外，已证明有利的是，在第一导体轨迹上布置有第三功率半导体结构元件，该第三功率半导体结构元件具有第一和第二负载电流接头，并且该第三功率半导体结构元件的第一负载电流接头与第一导体轨迹导电连接，其中，在第二导体轨迹上布置有第四功率半导体结构元件，该第四功率半导体结构元件具有第一和第二负载电流接头，并且该第四功率半导体结构元件的第一负载电流接头与第二导体轨迹导电连接，其中，第三和第四功率半导体结构元件沿基底的第一方向布置，其中，第三功率半导体结构元件的第二负载电流接头与第二金属薄膜层导电连接，其中，第四功率半导体结构元件的第二负载电流接头与第一金属薄膜层导电连接，其中，第一、第二、第三和第四功率半导体结构元件关于第一和第二直流电压负载电流接头元件布置在共同的侧上。由此，能够以低感应的方式实现使技术上常见的半桥电路，该半桥电路具有至少四个功率半导体结构元件。

已证明有利的是，第一、第二、第三和第四功率半导体结构元件沿基底的第一方向关于第一和第二直流电压负载电流接头元件布置在共同的侧上。由此，能够以低感应的方式实现功率半导体模块。