[发明专利]功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块，所述功率半导体模块具有基底(2)，其中，所述基底(2)具有绝缘材料体(4)和布置在所述绝缘材料体(4)上的、导电的、结构化的线路层(5)，所述线路层(5)构造出彼此电绝缘地布置的导体轨迹(5a、5b)，其中，在第一导体轨迹(5a)上布置有第一功率半导体结构元件(T1)，所述第一功率半导体结构元件具有第一和第二负载电流接头(C、E)，并且所述第一功率半导体结构元件(T1)的第一负载电流接头(C)与所述第一导体轨迹(5a)导电连接，其中，在第二导体轨迹(5b)上布置有第二功率半导体结构元件(T2)，所述第二功率半导体结构元件具有第一和第二负载电流接头(C、E)，并且所述第二功率半导体结构元件(T2)的第一负载电流接头(C)与所述第二导体轨迹(5b)导电连接，其中，所述功率半导体模块(1a、1b、1c、1d、1e、1f)具有第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)，其中，所述第一和第二功率半导体结构元件(T1、T2)沿所述基底(2)的横向的第一方向(X)布置，并且所述第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)相继布置，其中，所述功率半导体模块(1a、1b、1c、1d、1e、1f)具有薄膜复合结构(11)，所述薄膜复合结构具有第一金属薄膜层(8)和结构化的第二金属薄膜层(10)以及布置在所述第一与第二金属薄膜层(8、10)之间的电绝缘薄膜层(9)，其中，所述第一功率半导体结构元件(T1)的第二负载电流接头(E)与所述第二金属薄膜层(10)导电连接，并且所述第二金属薄膜层(10)与所述第二导体轨迹(5b)导电连接，其中，所述第二功率半导体结构元件(T2)的第二负载电流接头(E)与所述第一金属薄膜层(8)导电连接，其中，所述第一直流电压负载电流接头元件(14)与所述第一导体轨迹(5a)导电连接，而所述第二直流电压负载电流接头元件(15)与所述第一金属薄膜层(8)导电连接，其中，所述第一和第二功率半导体结构元件(T1、T2)关于所述第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)布置在共同的侧(SE)上。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)沿所述基底(2)的横向的第一方向(X)布置，并且所述第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)沿所述基底(2)的第一方向(X)相继布置，其中，所述第一和第二功率半导体结构元件(T1、T2)沿所述基底(2)的第一方向(X)关于所述第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)布置在共同的侧(SE)上。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一和第二功率半导体结构元件(T1、T2)构造成功率半导体开关。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于，在所述第一导体轨迹(5a)上布置有第三功率半导体结构元件(D1)，所述第三功率半导体结构元件具有第一和第二负载电流接头(K、A)，并且所述第三功率半导体结构元件(D1)的第一负载电流接头(K)与所述第一导体轨迹(5a)导电连接，其中，在所述第二导体轨迹(5b)上布置有第四功率半导体结构元件(D2)，所述第四功率半导体结构元件具有第一和第二负载电流接头(K、A)，并且所述第四功率半导体结构元件(D2)的第一负载电流接头(K)与所述第二导体轨迹(5b)导电连接，其中，所述第三和第四功率半导体结构元件(D1、D2)沿所述基底(2)的第一方向(X)布置，其中，所述第三功率半导体结构元件(D1)的第二负载电流接头(A)与所述第二金属薄膜层(10)导电连接，其中，所述第四功率半导体结构元件(D2)的第二负载电流接头(A)与所述第一金属薄膜层(8)导电连接，其中，所述第一、第二、第三和第四功率半导体结构元件(T1、T2、D1、D2)关于所述第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)布置在共同的侧(SE)上。

5.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一、第二、第三和第四功率半导体结构元件(T1、T2、D1、D2)沿所述基底(2)的第一方向(X)关于所述第一和第二直流电压负载电流接头元件(14、15)布置在共同的侧(SE)上。

6.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第三和第四功率半导体结构元件(D1、D2)构造成二极管。