[发明专利]提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料、薄膜及其制备方法及OLED器件

权利要求书

1.一种提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料，其特征在于，是TCPTU与稀土元素化合物化合形成的；

其中，TCPTU为侧链带硅氧烷的聚硫代氨基甲酸酯，结构如下：

其中，MES为2,2-二硫基乙硫醚；TDI为2,4-甲苯二异氰酸酯；TMTEA为三乙硫醇氨；n为正整数。

2.如权利要求1所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料，其特征在于，所述稀土元素化合物为三氧化二铈、二氧化铈。

3.如权利要求1所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料，其特征在于，所述稀土元素化合物为氧化镧、氧化镨、氧化铷、氧化钐、氧化铥、氧化钕、氧化钇、氧化钬、氧化铽、氧化镥、氧化镱、氧化镝、氧化钪、氧化铒、氧化钆或氧化铕。

4.如权利要求3所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料，其特征在于，是由TCPTU与氧化镧化合形成的，其结构如下：

5.如权利要求1至3任一项所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料，其特征在于，TCPTU与稀土元素化合物之间以共价键连接。

6.如权利要求5所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料，其特征在于，是以TCPTU与稀土元素化合物作为反应物，通过溶胶凝胶法反应而得。

7.如权利要求1所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料，其特征在于：其折射率范围在2.5-3.0之间。

8.一种提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：TCPTU的合成；

S2：Ree-TCPTU的合成，其中Ree-TCPTU为稀土元素与TCPTU的化合物。

9.如权利要求8所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S1具体包括：

S11、将4.85–5.13克TMTEA、140-260毫升THF、0.07-0.13克DBTL混合，在惰性气体保护下升温至35-55℃；

S12、将5.82-6.18克IPTEOS溶于14-26毫升THF，在一小时中均匀滴入步骤S11所得混合物中，再反应0.9-1.2小时；

S13、在S12所得产物中加入6.09-11.3克TDI和3.5-6.5毫升THF，在40-60℃下反应3.9-4.1小时；

S14、在S13所得产物中加入2.73-5.07克MES，在50-70℃下反应3.9-4.1小时；

S15、在S14所得产物中加入正己烷，得到沉淀物即为TCPTU。

10.如权利要求8所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S1具体包括：

S11、将5克TMTEA、200毫升THF、0.1克DBTL混合，在惰性气体保护下升温至45℃；

S12、将6克IPTEOS溶于20毫升THF，在一小时中均匀滴入步骤S11所得混合物中，再反应2小时；

S13、在S12所得产物中加入8.7克TDI和5毫升THF，在50℃下反应4小时；

S14、在S13所得产物中加入3.9克MES，在60℃下反应4小时；

S15、在S14所得产物中加入正己烷，得到沉淀物即为TCPTU。

11.如权利要求8所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料的制备方法，其特征在于，步骤S2具体为：

将TCPTU溶于有机溶剂中形成均匀的溶液，加入氧化镧，反应形成凝胶，经干燥和烧结固化制备得到La-TCPTU；其中La-TCPTU为氧化镧与TCPTU的化合物。

12.如权利要求11所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料的制备方法，其特征在于：产物La-TCPTU的折射率为2.5-3.0，La-TCPTU的折射率与反应物氧化镧的用量成正比，反应物中氧化镧的用量根据产物所需的折射率确定。

13.一种薄膜，其特征在于：其成分是如权利要求1-4中任一项所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物复合材料。