[发明专利]改善关键尺寸负载效应的方法

权利要求书

1.一种改善关键尺寸负载效应的方法，应用于多晶硅的硬掩膜刻蚀工艺中，其特征在于，所述方法包括：

提供一具有多晶硅层的衬底，且该多晶硅层的上表面覆盖有硬掩膜层；

在所述硬掩膜层的上表面形成光阻图案，并以该光阻图案为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀，形成具有孤立区域和密集区域的硬掩膜图案，且位于所述孤立区域的硬掩膜图案的关键尺寸和位于所述密集区域的硬掩膜图案的关键尺寸不相同；

去除所述光阻图案；

采用各向同性的等离子体对所述硬掩膜图案的关键尺寸进行修正，以减小位于所述孤立区域的硬掩膜图案的关键尺寸与位于所述密集区域的硬掩膜图案的关键尺寸之间的差值。

2.如权利要求1所述的改善关键尺寸负载效应的方法，其特征在于，对所述孤立区域的刻蚀速率大于对所述密集区域的刻蚀速率。

3.如权利要求1所述的改善关键尺寸负载效应的方法，其特征在于，采用流量为50sccm-100sccm的各向同性的等离子体对所述孤立区域和所述密集区域同时进行刻蚀速率不同的干法刻蚀。

4.如权利要求1所述的改善关键尺寸负载效应的方法，其特征在于，采用含氟和碳的气体经等离子体化工艺后形成所述各向同性的等离子体。

5.如权利要求4所述的改善关键尺寸负载效应的方法，其特征在于，所述含氟和碳的气体为CF₄或CHF₃。

6.如权利要求4所述的改善关键尺寸负载效应的方法，其特征在于，所述等离子体化工艺包括：采用等离子发生器，在等离子体源功率为400W-800W，偏压功率为0V-50V，压强为3mT-8mT的条件下制备所述各向同性的等离子体。

7.如权利要求6所述的改善关键尺寸负载效应的方法，其特征在于，选用等离子源功率和偏压功率分离的等离子发生器进行所述等离子体化工艺。

8.如权利要求7所述的改善关键尺寸负载效应的方法，其特征在于，所述等离子发生器为去耦合的CCP等离子发生器、TCP等离子发生器、ICP等离子发生器中的任意一种。

9.如权利要求1所述的改善关键尺寸负载效应的方法，其特征在于，所述硬掩膜的材质为氮化硅。