[发明专利]一种提高LED封装器件出光效率的涂膜方法和LED封装器件无效

专利信息
申请号: 201310146930.3 申请日: 2013-04-25
公开(公告)号: CN103219454A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 刘国旭;张海兵;杨磊 申请(专利权)人: 易美芯光(北京)科技有限公司
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 胡剑辉
地址: 100176 北京市大兴区经济技*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 led 封装 器件 效率 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种提高发光二极管(LED)封装器件出光效率的涂膜方法和采用该方法所制备的LED封装器件。

背景技术

图1为现有LED封装器件的结构示意图。LED芯片3通过封装胶2固定在支架4上。LED芯片3发出的光线经封装胶2再经过封装胶2的出光面后进入空气;一般封装胶2的折射率高于空气的折射率,导致在出光面发生严重的全反射现象,大角度光线会重新返回到封装胶内,从而损失掉一部分光能,降低了出光效率。

为了提高LED封装器件的出光效率,在LED封装工艺端上,可以采用优化的光学结构、高反射率的金属镀层和高透光率的封装胶层。这些改进技术主要涉及在优化的光学结构和高反射率的金属镀层上。

发明内容

针对现有技术存在的问题,本发明的目的是提供一种提高LED封装器件出光效率的涂膜方法和LED封装器件,能够进一步提高LED封装器件的出光效率。

本发明的一种提高LED封装器件出光效率的涂膜方法是:采用溶胶-凝胶法在LED封装器件的封装胶表面涂覆一层以上的含有气孔的SiO2增透薄膜。

优选地,所述SiO2增透薄膜为1到3层,每层的厚度为100-400nm。

优选地,从紧贴所述封装胶那一层的所述SiO2增透薄膜开始从内到外SiO2增透薄膜的气孔率依次增加。这样就可使折射率缓慢变化。

优选地,所述方法具体包括如下步骤:

1)首先将LED封装器件的封装胶的出光面清洗干净;

2)将分析纯的正硅酸乙酯、去离子水、无水乙醇、浓盐酸按体积比(20-30):(200-300):1:(6-15)混合,在磁力搅拌器上搅拌,再加入成孔剂,继续搅拌,最后陈化,形成含成孔剂的SiO2溶胶镀膜液;

3)对步骤1)得到的LED封装器件出光面进行涂膜,每制备一层都要干燥处理,再置于箱式电阻炉内热处理,然后自然降温。

优选地,所述添加成孔剂前磁力搅拌时间为2-8h,添加成孔剂后继续搅拌时间为0.5-2h,陈化时间为10-30h。

优选地,所述成孔剂为聚乙二醇-200、聚乙二醇-400、聚乙二醇-600、聚乙二醇-1000、聚乙二醇-2000、聚乙二醇-10000、聚乙二醇-20000中的一种或几种,所添加的聚乙二醇的含量为2.5-30g/L。

优选地,所述匀胶成膜后的干燥处理为在60-180℃烘箱内干燥10-30min;所述热处理的升温速率为1-20℃,热处理温度为80-600℃,保温时间为0.5-5h。

本发明的一种LED封装器件,包括支架和LED芯片,LED芯片通过封装胶封装在支架上,在所述LED封装胶的出光面上涂覆有一层以上的SiO2增透薄膜。

优选地,所述SiO2增透薄膜为1到3层,每层的厚度为100-400nm。

优选地,所述SiO2增透薄膜还可以是TiO2增透薄膜或ZrO2增透薄膜或是由SiO2、TiO2和ZrO2两种或是两种以上的混合物的增透薄膜。

本发明的有益效果是:

1)本发明采用的溶胶-凝胶法,制作费用低,涂膜操作简单,便于大面积成膜,易于大批量制作。

2)本发明制备的SiO2增透薄膜与LED封装胶的结合性和牢固度好,有较宽广的透光率。

3)本发明采用的溶胶-凝胶法制备的SiO2增透薄膜具有密度低、折射率可调的特点。

4)可通过设计多层膜,使1到2层或1到3层的气孔率逐渐增加,可以进一步提高增透膜的透光率,可使LED封装器件的出光效率提高2-5%。

附图说明

图1为现有LED封装器件的结构示意图;

图2为本发明实施例1的LED封装器件的结构示意图;

图3为本发明实施例2的LED封装器件的结构示意图;

图4为本发明实施例3的LED封装器件的结构示意图。

具体实施方式

实施例1:

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