[发明专利]一种提高LED封装器件出光效率的涂膜方法和LED封装器件

权利要求书

1.一种提高LED封装器件出光效率的涂膜方法，其特征在于，该方法是：采用溶胶-凝胶法在LED封装器件的封装胶表面涂覆一层以上的含有气孔的SiO₂增透薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiO₂增透薄膜为1到3层，每层的厚度为100-400nm。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，从紧贴所述封装胶那一层的所述SiO₂增透薄膜开始从内到外SiO₂增透薄膜的气孔率依次增加。

4.所述如权利要求1所述的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

1）首先将LED封装器件的封装胶的出光面清洗干净；

2）将分析纯的正硅酸乙酯、去离子水、无水乙醇、浓盐酸按体积比(20-30):(200-300):1:(6-15)混合，在磁力搅拌器上搅拌，再加入成孔剂，继续搅拌，最后陈化，形成含成孔剂的SiO₂溶胶镀膜液；

3）对步骤1）得到的LED封装器件出光面进行涂膜，每制备一层都要干燥处理，再置于箱式电阻炉内热处理，然后自然降温。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述添加成孔剂前磁力搅拌时间为2-8h，添加成孔剂后继续搅拌时间为0.5-2h，陈化时间为10-30h。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述成孔剂为聚乙二醇-200、聚乙二醇-400、聚乙二醇-600、聚乙二醇-1000、聚乙二醇-2000、聚乙二醇-10000、聚乙二醇-20000中的一种或几种，所添加的聚乙二醇的含量为2.5-30g/L。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述匀胶成膜后的干燥处理为在60-180℃烘箱内干燥10-30min；所述热处理的升温速率为1-20℃，热处理温度为80-600℃，保温时间为0.5-5h。

8.一种LED封装器件，其特征在于，包括支架和LED芯片，LED芯片通过封装胶封装在支架上，在所述LED封装胶的出光面上涂覆有一层以上的SiO₂增透薄膜。

9.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述增透薄膜为1到3层，每层的厚度为100-400nm。

10.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述SiO₂增透薄膜还可以是TiO₂增透薄膜或ZrO₂增透薄膜或是由SiO₂、TiO₂和ZrO₂两种或是两种以上的混合物的增透薄膜。