[发明专利]功率用半导体装置模块

说明书

技术领域

本发明涉及搭载有IGBT（绝缘栅双极型晶体管：Insulated Gate Bipolar Transistor）等电压驱动型半导体装置的功率用半导体装置模块。

背景技术

在功率用半导体装置模块中，连接于所搭载的半导体装置的电气布线一般而言使用电阻小、廉价的铜等，设计电流密度以使电流通电时的发热不超过构成半导体装置、功率用半导体装置模块的部件的耐热温度。

另一方面，由于所搭载的半导体装置的损耗降低、冷却性能、绝缘性能的提高，功率用半导体装置模块的小型化逐年发展，与此相伴，内置多个半导体装置的集成化、内置保护半导体装置不受过电流、过热影响的功能的智能化也不断发展。

因此，功率用半导体装置模块的外部端子数大幅增加，主电流布线的小型化也达到极限，为推进功率用半导体装置模块的小型化，必须尽可能削减浪费的空间以配置电气布线。特别是与外部布线连接的外部端子，因为暴露于空气中，所以必须确保与用绝缘物覆盖的功率用半导体装置模块内部的电气布线的绝缘距离，为小型化功率用半导体装置模块，需要尽可能削减外部端子，并且充分考虑暴露位置。

作为集成化的功率用半导体装置模块的现有技术，例如专利文献1的图11所公开地，可列举模块化6个半导体装置的6合1（6in1）构造的功率用半导体装置模块。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011－249364号公报。

发明内容

专利文献1所示的功率用半导体装置模块中，采用分别从6个半导体装置经由接合引线将5个控制端子引出到外部的结构。5个控制端子一般而言由以下端子构成：控制半导体装置的通电的栅极端子、发射极读出端子、用于保护半导体装置不受过电流影响的电流读出端子、用于保护半导体装置不受过热影响的温度读出二极管的正极端子以及负极端子。因此，专利文献1所示的功率用半导体装置模块中控制端子数多，难以小型化。

此外，因为直流高电压侧布线与直流低电压侧布线配置于分离的位置，所以存在布线电感大的问题。

本发明为解决如上述的问题点而完成，其目的在于尽可能削减外部端子，小型化功率用半导体装置模块，并且降低布线电感。

本发明的功率用半导体装置模块的方式为一种功率用半导体装置模块，其具备分别具有串联地插入第一电位与第二电位之间、互补地动作的第一晶体管以及第二晶体管的多个逆变器，且多个逆变器被模块化，所述功率用半导体装置模块的特征在于：在所述多个逆变器之中，仅在既定的一个中具有检测所述第一以及第二晶体管的温度的结构，用于所述第一以及第二晶体管的温度检测的控制端子从模块的侧面突出。

根据本发明的功率用半导体装置模块，能够削减用于温度检测的控制端子数，所以能够小型化功率用半导体装置模块。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的功率用半导体装置模块的结构的俯视图；

图2是示出本发明的实施方式1的功率用半导体装置模块的结构的侧视图；

图3是示出本发明的实施方式1的功率用半导体装置模块的结构的电路图；

图4是示出本发明的实施方式2的功率用半导体装置模块的结构的俯视图；

图5是示出本发明的实施方式2的功率用半导体装置模块的结构的侧视图；

图6是示出本发明的实施方式2的功率用半导体装置模块的结构的电路图；

图7是示出本发明的实施方式3的功率用半导体装置模块的结构的俯视图；

图8是示出本发明的实施方式3的功率用半导体装置模块的结构的侧视图；

图9是示出本发明的实施方式4的功率用半导体装置模块的结构的俯视图；

图10是示出本发明的实施方式4的功率用半导体装置模块的结构的侧视图。

具体实施方式

<实施方式1>

图1是示出本发明的实施方式1的功率用半导体装置模块100的结构的俯视图，图2是从直流高电压端子2侧观察的侧视图，各图都省略模制树脂8而示出。此外，图3是示出功率用半导体装置模块100的结构的电路图。

如图3所示，功率用半导体装置模块100具备由具有温度检测功能的IGBT芯片9a、9b、9c、9d、9e以及9f和反并联连接于各IGBT芯片9a～9f的二极管芯片10a、10b、10c、10d、10e以及10f构成的6组半导体芯片群11a、11b、11c、11d、11e以及11f。