[发明专利]防止沟槽式功率MOS晶体管体效应的工艺制备方法

权利要求书

1.一种防止沟槽式功率MOS晶体管体效应的工艺制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、提供一半导体衬底，包含一底部衬底和在其上生长的一外延层，并在外延层的顶部形成体区，以及在体区和外延层中形成沟槽和在沟槽内形成栅极；

b、在体区的顶部且围绕着沟槽形成源极区；

c、在半导体衬底之上形成一介电层，该介电层同时将所述栅极予以覆盖；

d、在所述介电层、半导体衬底中进行刻蚀，形成贯穿该介电层并延伸至半导体衬底内的接触孔；

e、利用接触孔实施掺杂物植入，形成围绕在接触孔底部的具有第一深度的一接触区；

f、利用接触孔实施掺杂物植入，形成具有第二深度的一接触增进区；

其中第二深度大于第一深度并且接触增进区与接触区邻接或者部分重叠；

g、在接触孔的底部和侧壁以及介电层上覆盖一金属阻挡层，并在接触孔内填充金属材料形成一金属插塞。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层、源极区为第一导电类型，所述体区为与第一导电类型相反的第二导电类型，以及所述接触区、接触增进区均为第二导电类型。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触增进区的掺杂浓度大于所述源极区的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述介电层、半导体衬底中进行刻蚀的步骤中，刻蚀终止在源极区中，使所述接触孔的底部位于源极区内。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述接触区位于源极区内，及所述接触增进区位于所述源极区和体区之间，其一部分位于源极区内并保持与所述接触区联接或者部分重叠，另一部分位于体区内。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述接触区位于所述源极区和体区之间，其一部分位于源极区内而另一部分位于体区内，所述接触增进区位于所述体区内并与接触区位于体区内的所述另一部分保持联接或者部分重叠。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述介电层、半导体衬底中进行刻蚀的步骤中，刻蚀终止在体区中，使所述接触孔的底部相应地位于体区内。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述接触区位于所述源极区和体区之间，其一部分位于源极区内而另一部分位于体区内，所述接触增进区位于所述体区内并与接触区位于体区内的所述另一部分保持联接或者部分重叠。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述接触区和所述接触增进区均植入在体区内。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述介电层、半导体衬底中进行刻蚀的步骤中，刻蚀终止在体区的上表面，使所述接触孔的底部相应地位于体区的上表面上。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述接触区位于所述源极区和体区之间，其一部分位于源极区内而另一部分位于体区内，所述接触增进区位于所述体区内并与接触区位于体区内的所述另一部分保持联接或者部分重叠。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，先执行步骤e形成接触区之后再执行步骤f来形成接触增进区。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，先执行步骤f形成接触增进区之后再执行步骤e来形成接触区。

14.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，并且所述接触增进区的掺杂物为B、BF、BF2、In中的一种或几种。

15.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，并且所述接触增进区的掺杂物为P、As、Sb中的一种或几种。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触增进区的深度在之间。