[发明专利]纳米金刚石镀膜封装基板

说明书

技术领域

 本发明涉及一种LED封装基板，特别是一种大功率LED芯片封装用纳米金刚石镀膜基板。

背景技术

LED散热基板主要是利用其散热基板材料本身具有较佳的热传导性，将热源从LED晶粒导出。因此，我们从LED散热途径叙述中，可将LED散热基板细分两 大类别，分别为(1)LED晶粒基板与(2)系统电路板，此两种不同的散热基板分别乘载着LED晶粒与LED晶片将LED晶粒发光时所产生的热能，经由 LED晶粒散热基板至系统电路板，而后由大气环境吸收，以达到热散之效果。

要提升LED发光效率与使用寿命，解决LED产品散热问题即为现阶段最重要的课题之一，LED产业的发展亦是以高功率、高亮度、小尺寸LED产品为其发展重点，因此，提供具有其高散热性，精密尺寸，没有热歪斜的散热基板，也成为未来在LED散热基板发展的趋势。现有LED散热基板结构复杂，导热绝缘层越多导热效果越差；石墨材质本身硬度不够，基板封装面未作处理，固晶不可靠。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中的不足之处，提供一种高导热率、低热阻、高可靠性、价格便宜的纳米金刚石镀膜封装基板，提升LED发光效率与使用寿命，解决LED产品散热问题。

为达到上述目的，本发明采用以下方案：

一种纳米金刚石镀膜封装基板，包含有石墨片，以石墨片做为载体，石墨片表面引入一纳米金刚石镀膜层，纳米金刚石镀膜层为纳米级合成金刚石，纳米金刚石镀膜层上面设有有机硅胶，有机硅胶分布于纳米金刚石镀膜层两侧，有机硅胶上设有导电焊板，纳米金刚石镀膜层上设有一个及以上LED芯片，LED芯片设于两侧导电焊板之间，LED芯片通过互连线连接导电焊板，LED芯片通过芯片导热胶粘贴在纳米金刚石镀膜层上， LED芯片与互连线之上引入封装胶，石墨片厚度为0.012-1.0mm。

在其中一些实施例中，所述导电焊板为铜箔，与外界进行电气连接。

在其中一些实施例中，所述石墨片表面采用纳米金刚石镀膜工艺镀有一纳米金刚石镀膜层，镀膜后的石墨片表面硬度达到80GPa。

在其中一些实施例中，所述导电焊板与纳米金刚石镀膜层之间通过有机硅胶粘接。

在其中一些实施例中，所述LED芯片相邻之间通过互连线连接，封装胶与凸起的导电焊板维持同一平面。

本发明采用石墨作为LED封装基板，降低热阻，提升导热率；封装表面进行纳米金刚石镀膜工艺，加强封装面硬度，增强光反射能力。LED散热基板主要是利用其散热基板材料本身具有较佳的热传导性，将热源从LED晶粒导出。因此，本发明从LED散热途径入手，将LED晶粒发光时所产生的热能，经由 LED晶粒散热基板至系统电路板，而后由大气环境吸收，以达到热散之效果。

附图说明

图1 所示是本发明实施方案的结构示意图。

图2 所示是本发明实施方案单芯片封装应用的示意图。

图3 所示是本发明实施方案多芯片封装应用的示意图。

具体实施方式

为能进一步了解本发明的特征、技术手段以及所达到的具体目地、功能，解析本发明的优点与精神，藉由以下通过实施例对本发明做进一步的阐述。

LED产业的发展亦是以高功率、高亮度、小尺寸LED产品为其发展重点，因此，提供具有其高散热性，精密尺寸，没有热歪斜的散热基板，也成为未来在LED散热基板发展的趋势。

如图1至3所示，本发明以石墨片1做为载体，石墨片1表面引入一纳米金刚石镀膜层2，石墨片1表面采用纳米金刚石镀膜工艺镀有一纳米金刚石镀膜层2，纳米金刚石镀膜层2为纳米级合成金刚石，镀膜后的石墨片1表面硬度达到80GPa；纳米金刚石镀膜层上设有有机硅胶3，有机硅胶3分布于纳米金刚石镀膜层2两侧，有机硅胶3上设有导电焊板4，导电焊板4与纳米金刚石镀膜层2之间通过有机硅胶3粘接。

石墨片1厚度为0.012-1.0mm，导电焊板4为铜箔，与外界进行电气连接。纳米金刚石镀膜层2上设有一个及以上LED芯片8，LED芯片8设于两侧导电焊板4之间，LED芯片8通过互连线5连接导电焊板4，相邻LED芯片8之间通过互连线5连接，LED芯片8通过芯片导热胶7粘贴在纳米金刚石镀膜层2上， LED芯片8与互连线5之上引入封装胶6，封装胶6与凸起的导电焊板4维持同一平面。