[发明专利]提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法无效
| 申请号： | 201310015290.2 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103094178A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 罗杰馨;陈静;伍青青;柴展;余涛;吕凯;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 部分 耗尽 soi 器件 射频 性能 制备 方法 | ||
1.一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法，其特征在于，所述提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法至少包括：
1）在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；
2）对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；
3）在进行了再掺杂的绝缘体上材料结构上再制备电极层以形成SOI器件。
2.根据权利要求1所述的提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法，其特征在于，当SOI器件为NPN型时，所述步骤2）包括：
对所述源区进行掺杂使所述源区由N型转变为P型；
对所述P型源区进行再掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型。
3.根据权利要求1或2所述的提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法，其特征在于：所述步骤1）还包括：在所述栅区周围形成侧墙隔离结构。
4.根据权利要求1或2所述的提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法，其特征在于：部分区域为N型、部分区域为P型的源区结构为隧道二级管结构。
5.一种部分耗尽型SOI器件，其特征在于，所述部分耗尽型SOI器件至少包括：
形成在绝缘体上材料结构上的源区、栅区及漏区，其中，所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；
形成在所述源区、栅区及漏区表面的电极层。
6.根据权利要求1所述的部分耗尽型SOI器件，其特征在于：在所述栅区周围具有侧墙隔离结构。
7.根据权利要求1所述的部分耗尽型SOI器件，其特征在于：部分区域为N型、部分区域为P型的源区结构为隧道二级管结构。
8.根据权利要求1所述的部分耗尽型SOI器件，其特征在于：所述部分耗尽型SOI器件为射频器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
