[实用新型]一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，尤其是涉及一种低栅电容IGBT功率器件。 

背景技术

功率器件IGBT是一种栅极电压控制，二种载流子参入导电的器件，他具有驱动电路简单，电流能力大，易于集成等优点。传统的半导体器件IGBT的栅电极的制造过程是：热氧化二氧化硅作为栅氧化层，淀积多晶硅作为栅电极，再淀积二氧化硅隔离结缘栅源电极，栅电极下面就只有热氧化的二氧化硅作为介质层，由于该热氧化的二氧化硅介质层只有几百埃，所以栅电容较大，在栅极驱动时候需要较大的功率。IGBT的栅电极的面积占据其总面积的一半以上，为了减少IGBT的驱动功率，需要减少IGBT的栅区电容。传统的IGBT的栅电容是多晶硅和器件的表面形成的电容，中间的介质层是栅氧，栅氧化层很薄，栅电容较大。 

发明内容

本实用新型目的是提供一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件。以解决现有技术所存在的源区对准困难、栅氧化层薄、栅电容较大等技术问题。 

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：该源区自对准的低栅电容IGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层，所述硅片上方为热场氧化层，该热场氧化层通过硅片热场氧化形成；所述硅片与热场氧化层之间通过热氧化形成热氧化栅氧层；所述热场氧化层上方淀积有作为栅极导电层的多晶硅层，该多晶硅层上方淀积有二氧化硅层作为多晶硅层的上保护层。 

作为优选，所述热场氧化层通过光刻并保留硼区外的表面热场氧化层，增加栅区的氧化层厚度。 

作为优选，所述热场氧化层光刻后并保留N+源区的热场氧化层作为N+源区自对准的屏蔽口。 

本实用新型具有源区自对准、结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，本实用新型是将IGBT的制造过程中的厚场氧化保留在硼区外的表面，从而增加了部分栅区的氧化层厚度，因电容是和介质层的厚度成反比，从而使栅电容降低，大大的提高制造成品率，具有很强的经济性和实用性。 

附图说明

图1是本实用新型的内部结构示意图。 

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体说明。 

图1是本实用新型的结构示意图。由图1可知，该源区自对准的低栅电容IGBT功率器件，包括硅片2、热场氧化层6、热氧化栅氧层4、多晶硅层5和二氧化硅层1，所述硅片2上方为热场氧化层6，该热场氧化层6通过硅片2热场氧化形成；所述硅片2与热场氧化层6之间通过热氧化形成热氧化栅氧层4；所述热场氧化层6上方淀积有作为栅极导电层3的多晶硅层5，该多晶硅层5上方淀积有二氧化硅层1作为多晶硅层5的上保护层。 

将已经做完热场氧化的及硼区掺杂的硅片2进行光刻，栅区沟道区外表面的热氧化层及源区的热氧化层保留。光刻热场氧化层，保留部分在硼区外的表面，增加栅区的氧化层厚度；光刻热场氧化层，并保留N+源区的部分热场氧化层作为N+源区自对准的屏蔽口，从而实现N+的自对准。 

硅片2被热氧化作为栅氧化层4，淀积多晶硅层5作为栅极导电层3，淀积的二氧化硅层1作为多晶硅层5上保护层。并利用胶保护栅极上的二氧化硅层1，同时将源极7上的淀积二氧化硅层1腐蚀掉即将源极7的导电窗口打开，源极7和栅极3靠淀积的二氧化硅1氧化层隔离绝缘。热场氧化层6可以仅设置在所述栅电极3的栅区沟道区外表面，作为所述栅电极3的介质层，可以和所述栅氧化层4一起，增加所述栅电极3介质层的厚度，从而降低其电容，起到良好的保护作用。