[实用新型]一种用于提高LED共晶焊接炉温度均匀性的装置有效

专利信息
申请号: 201220351609.X 申请日: 2012-07-19
公开(公告)号: CN202780159U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 程治国;杨威;闫国松 申请(专利权)人: 彩虹集团公司
主分类号: B23K3/04 分类号: B23K3/04
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 712021*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 提高 led 焊接 炉温 均匀 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及LED共晶炉焊接夹具,尤其是一种用于提高LED共晶焊接炉温度均匀性的装置。

背景技术

LED行业是一个新兴行业,是国家十二五计划重点行业,LED产品具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期长、且不含汞,具有环保效等优点。随着照明市场的快速发展,对高亮度、高显色指数的LED的需要也大幅度提高,尤其像路灯、工矿灯等大功率照明产品。固晶的方式也由普通导热胶、高导热银胶到共晶焊接方式发展。目前美国CREE、OSRAM、PHILIPS等大公司的高端品种采用此种方式固晶。增强散热性能的同时也提高LED的可靠性、稳定性。目前共晶(焊接)主要的方式是先在镀有银层或者金层陶瓷基板上点助焊剂,然后放置背面镀有锡金合金层(Au80%Su20%)的芯片,最后进入到最高温度达310℃以上共晶炉中烧结。

目前在共晶焊接的过程中,芯片随着点有助焊剂的陶瓷基板一起沿着产品进入方向进入炉体内,炉内分为加热区和冷却区,其中加热区分为上加热区和下加热区。加热方式采用热风加热,所以LED产品进行炉体内时,热风很容易把芯片吹动,造成芯片的位移,同时承载产品的夹具对下加热区的热风有阻挡作用,而且吸收热量,很易容使产品下表面现上表面温度不均匀,共晶温度不够,焊接不良。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种用于提高LED共晶焊接炉温度均匀性的装置,能够提高LED产品的焊接效果并且提高良品率。

一种用于提高LED共晶焊接炉温度均匀性的装置,其特别之处在于:由下基板和上盖组成,其中在下基板上设有至少一个凹槽,在每个凹槽内的下基板上均开有热气流通孔,并且在每个凹槽的边缘处均设有环状的基板装配槽,从而与上盖边缘处的环状的上盖装配边配合以安装上盖,而在上盖上也开有热气流通孔。

其中在每一个凹槽的一侧均设有操作口。

其中操作口为半圆槽。

其中在下基板上设有两个矩形凹槽,从而放置两块陶瓷基板。

其中下基板和上盖均采用陶瓷材质。

其中在下基板和上盖上分别均匀开有热气流通孔,下基板上的所有热气流通孔的面积之和大于等于下基板总面积的60%,上盖上的所有热气流通孔的面积之和大于等于上盖总面积的60%。

采用本实用新型装置后,解决了共晶炉上加热区的热风吹动LED芯片造成芯片位移,避免了由此导致的焊接不良,同时LED产品下表面和上表面温度均匀,共晶温度适宜,焊接效果较好。

附图说明

图1是本实用新型装置中的下基板(8)的正视图;

图2是本实用新型装置中的下基板(8)的剖面图;

图3是本实用新型装置中的上盖(12)的正视图;

图4是本实用新型装置中的上盖(12)的剖面图;

图5是装配好的本实用新型装置的剖面图。

具体实施方式

如图1、2、3、4、5所示,本实用新型是一种用于提高LED共晶焊接炉温度均匀性的装置,由下基板8和上盖12组成,而下基板8和上盖12均采用陶瓷材质,其中在下基板8上设有至少一个凹槽,例如可以在下基板8上设有两个矩形凹槽,从而放置两块陶瓷基板。在每一个凹槽的一侧均设有操作口9,其中操作口9为半圆槽,半圆槽与凹槽连通从而便于取、放陶瓷基板。

在每个凹槽内的下基板8上均分布有多个热气流通孔11,并且在每个凹槽的边缘处均设有环状基板装配槽10,从而与上盖12边缘处的环状的上盖装配边13配合以安装上盖12,而在上盖12上也分布有多个热气流通孔11。

为了保证通风效果,在下基板8和上盖12上分别均匀分布有热气流通孔11,下基板8上的所有热气流通孔11的面积之和大于等于下基板8总面积的60%,上盖12上的所有热气流通孔11的面积之和大于等于上盖12总面积的60%,经过使用证明可以使共晶炉的设定温度与陶瓷基板、LED芯片的温度误差控制在±1℃。

实用新型装置由两个部分组成:装置的下基板8和上盖12,材质采用各种陶瓷,例如如ALN或者AL2O3,颜色为黑色,上盖12厚度为2.0mm,下基板8厚度为5mm,下基板8和上盖12的形状和面积均需要与待焊接陶瓷基板(已安装LED芯片)相匹配。

本实用新型装置的下基板8主要结构见附图1、2,上盖12的主要结构见附图3、4,将下基板8与上盖12装配到一起就是本实用新型装置,如图5所示为装置装配后的剖面图。

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