[发明专利]一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法

权利要求书

1.一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

A.将加工好的钼栅网进行真空除气，温度为800±20℃；

B.采用离子束辅助沉积法在上述Mo栅网上沉积一层反发射薄膜；

C.对所制成的栅网进行退火处理，退火温度为1000～1300℃。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A真空除气操作中，真空度优于1×10^-5Pa，保温时间为10±3分钟。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤B的离子束辅助沉积过程中，离子束(Ar⁺)能量为800～1000eV，本底真空度优于1×10^-4Pa，工作气压为0.02～0.1Pa。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤B中，反发射薄膜为表面功函数大于2.3eV且熔点高于1500℃的金属。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属为铂、锆或铪。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述反发射薄膜厚度为1.0±0.1um。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤C的退火处理操作中，退火时间为0.5～3小时，本底真空优于1×10^-4Pa。

8.一种栅控行波管用钼栅基底，其特征在于，其是采用权利要求1-7中任一项所述的方法制备的。