[发明专利]一种提高PEDOT:PSS薄膜物理性能的方法

权利要求书

1.一种提高PEDOT:PSS薄膜物理性能的方法，其包括以下步骤：

1)在基底上附着一层PEDOT:PSS薄膜；

2)烘烤沾有PEDOT:PSS薄膜的基底；

3)将烘烤后的基底置于真空腔室中；

4)用紫外线照射持续照射基底上的PEDOT:PSS薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底包括ITO玻璃及单晶硅片。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述附着方法包括甩制、脉冲激光沉积和磁控溅射。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，烘烤的温度为140℃～180℃，时间为15～25min。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述PEDOT:PSS薄膜的厚度为35nm～55nm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，真空腔室中的真空度至少为3×10^-4Pa。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，紫外线波长为250nm～260nm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，紫外线持续照射的时间至少为21h。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述ITO玻璃的大小为3cm×3cm；

所述单晶硅片的大小为1cm×1cm～6cm×6cm。

10.如权利要求3所述的方法，其特征在于，甩制时，匀胶机的转速设为3000～5000r/min，保持时间15～25s。