[发明专利]大尺寸非标金属封装器件的低水汽含量封装装置及方法有效
| 申请号: | 201210533412.2 | 申请日: | 2012-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN103035540A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
| 发明(设计)人: | 杨思川 | 申请(专利权)人: | 北京中科飞鸿科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址: | 100095 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 尺寸 非标 金属 封装 器件 水汽 含量 装置 方法 | ||
1.一种大尺寸非标金属封装器件的低水汽含量封装装置,包括封装模具,其特征在于,还包括比封焊模具大的环形装置,所述环形装置内设有环形气道,所述环形气道的内壁设有多个进气孔,所述环形气道的外壁设有至少一个入气孔。
2.根据权利要求1所述的大尺寸非标金属封装器件的低水汽含量封装装置,其特征在于,所述环形装置比封焊模具大两寸,所述环形气道的内壁均布6至10个进气孔,所述入气孔与99.999%的高纯氮气管路连接。
3.根据权利要求2所述的大尺寸非标金属封装器件的低水汽含量封装装置,其特征在于,所述环形装置的材料为聚四氟材料。
4.根据权利要求3所述的大尺寸非标金属封装器件的低水汽含量封装装置,其特征在于,所述环形装置设有多个出气孔。
5.一种应用权利要求1至4任一项所述的大尺寸非标金属封装器件的低水汽含量封装装置实现大尺寸非标金属封装器件的低水汽含量封装方法,其特征在于,包括步骤:
A、将芯片安装在大尺寸非标金属封装器件的底座上,并进行室温固化、高温老化及内引线焊接;
B、对封装装置和待封装器件进行除气处理,并监测露点;
C、将所述大尺寸非标金属封装器件的底座放在封焊模具上;
D、将所述封焊模具放在所述环形装置内;
E、将大尺寸非标金属封装器件的上盖扣在底座上;
F、使用储能封焊机对大尺寸非标金属封装器件进行密封焊接,封焊时向所述环形装置的入气孔通入99.999%以上高纯氮气,完成封装体的全密封封焊。
6.根据权利要求5所述的大尺寸非标金属封装器件的低水汽含量封装方法,其特征在于,所述大尺寸非标金属封装器件为以下任一件声表面波器件:声表面波带通滤波器、声表面波延迟线、声表面波相关器、声表面波微封装组件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科飞鸿科技有限公司,未经北京中科飞鸿科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210533412.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有超低结电容密度的pn结及其制造方法
- 下一篇:一种螺纹钢专用吊具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





