[发明专利]采用高电压反注入的功率晶体管

权利要求书

1.一种用于形成器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成隐埋层；

在位于所述隐埋层上方的衬底中形成具有第一导电类型的主阱；

在所述主阱中形成具有第二导电类型的漂移漏极；以及

在所述主阱中对具有所述第一导电类型的反注入区域进行注入，所述反注入区域介于所述漂移漏极和所述隐埋层之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，至少通过在第一深度处进行第一离子注入和在小于所述第一深度的第二深度处进行第二离子注入来形成所述主阱，并且，通过在小于所述第一深度且大于所述第二深度的第三深度处进行第三离子注入来形成所述反注入区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一离子注入的浓度为约4.0E12和约5.0E12之间，所述第二离子注入的浓度为约2.5E12和约3.5E12之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第三离子注入的浓度为约2.0E12和约3.0E12之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述漂移漏极包括在所述衬底上方施加第一图案掩模以及通过所述第一图案掩模中的一个或多个开口对所述漂移漏极进行注入，并且，对反注入区域进行注入包括通过所述第一图案掩模中的一个或多个开口对所述反注入区域进行注入。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，对反注入区域进行注入包括对至少两个反注入区域进行注入，所述反注入区域被非漂移区域隔开。

7.一种器件，包括：

衬底；

隐埋层，设置在所述衬底中；

主阱，具有第一导电类型，所述主阱位于所述隐埋层上方的衬底中；

至少一个漂移漏极，具有第二导电类型，所述至少一个漂移漏极位于所述主阱中；

至少一个反注入区域，位于所述主阱中且具有所述第一导电类型，所述至少一个反注入区域设置在所述至少一个漂移漏极和所述隐埋层之间；以及

栅极结构，位于所述主阱以及所述至少一个漂移漏极的一部分的上方。

8.根据权利要求7所述的器件，还包括：

两个或更多个漂移漏极；

两个或更多个反注入区域，每一个反注入区域都设置在漂移漏极和所述隐埋层的一部分之间；以及

源极和漏极，均设置在一个所述漂移漏极中。

9.根据权利要求8所述的器件，还包括：

p+型基础结构，设置在所述主阱中以及所述主阱的表面，所述基础结构在所述主阱的表面环绕所述源极和漏极；以及

STI结构，设置在所述主阱中以及所述基础结构和所述源极和漏极之间。

10.一种器件，包括：

主阱，具有自所述主阱的第一面距离第一深度处的第一注入区域和自所述第一面距离第二深度处的第二注入区域，其中，所述第二深度小于所述第一深度；

隐埋层，设置在所述主阱的第二面；

多个漂移漏极，设置在所述主阱中且具有第一导电类型；以及

多个反注入区域，位于所述主阱中且具有第二导电类型，每一个反注入区域都设置在所述隐埋层和一个所述漂移漏极之间。